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镜像势对碳纳米管阵列场发射特性的影响

陈桂华 何春山 王伟良 李志兵

镜像势对碳纳米管阵列场发射特性的影响

陈桂华, 何春山, 王伟良, 李志兵
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  • 采用多尺度量子化学方法模拟了碳纳米管阵列的场发射特性.碳纳米管镜像势的作用可以等效地用原子尺寸的理想金属球的镜像势来代替.模拟计算结果表明,考虑了镜像势作用后的碳纳米管阵列发射电流密度比没有考虑镜像势的结果增大了约6倍.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10674182)和国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB935501)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-12-17
  • 修回日期:  2009-03-25
  • 刊出日期:  2009-12-21

镜像势对碳纳米管阵列场发射特性的影响

  • 1. (1)东莞理工学院电子工程学院,东莞 523808; (2)中山大学物理科学与工程技术学院,光电材料与技术国家重点实验室,广州 510275
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10674182)和国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB935501)资助的课题.

摘要: 采用多尺度量子化学方法模拟了碳纳米管阵列的场发射特性.碳纳米管镜像势的作用可以等效地用原子尺寸的理想金属球的镜像势来代替.模拟计算结果表明,考虑了镜像势作用后的碳纳米管阵列发射电流密度比没有考虑镜像势的结果增大了约6倍.

English Abstract

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