搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

升华外延碳化硅p-n结的性质

冯锡淇 骆宾章

升华外延碳化硅p-n结的性质

冯锡淇, 骆宾章
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  2948
  • PDF下载量:  617
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1978-09-19
  • 刊出日期:  2005-07-29

升华外延碳化硅p-n结的性质

  • 1. 中国科学院上海硅酸盐化学与工学研究所

摘要: 本工作测量了升华外延碳化硅p-n结的电流-电压特性和空间电荷电容。通过对正向电流-电压特性及电容-电压特性的分析,表明:随着外延生长条件的不同,这种p-n结的结构可以在相当宽的范围内变化,从近于线性梯度结直到典型的p-i-n结,而大多数p-n结则介于这两者之间。文中就外延生长条件对p-n结结构的影响进行了简略的讨论。此外,还给出了升华外延碳化硅p-n结正向电发光的亮度-电流关系、光谱分布以及脉冲和交流激励的测量结果。

English Abstract

参考文献 (1)

目录

    /

    返回文章
    返回