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Vol. 29, No. 1 (1980)

1980年01月05日
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研究简报
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升华外延碳化硅p-n结的性质
冯锡淇, 骆宾章
1980, 29 (1): 1-10. doi: 10.7498/aps.29.1
摘要 +
本工作测量了升华外延碳化硅p-n结的电流-电压特性和空间电荷电容。通过对正向电流-电压特性及电容-电压特性的分析,表明:随着外延生长条件的不同,这种p-n结的结构可以在相当宽的范围内变化,从近于线性梯度结直到典型的p-i-n结,而大多数p-n结则介于这两者之间。文中就外延生长条件对p-n结结构的影响进行了简略的讨论。此外,还给出了升华外延碳化硅p-n结正向电发光的亮度-电流关系、光谱分布以及脉冲和交流激励的测量结果。
锑化铟单晶的小平面生长及孪晶
俞振中, 金刚, 陈新强, 马可军
1980, 29 (1): 11-18. doi: 10.7498/aps.29.11
摘要 +
采用切克劳斯基技术,观察了按不同晶向从熔态生长InSb单晶时固液界面的形貌。实验表明,结晶面上{111}小平面的发展和性质与单晶体的外形及孪晶的形成有着密切的关系,采用一个闪锌矿结构的{1ll}面八面协及双八面体模型能成功地解释各种实验现象。
锑化铟单晶中杂质的反常分凝
俞振中, 金刚, 陈新强, 马可军
1980, 29 (1): 19-24. doi: 10.7498/aps.29.19
摘要 +
借助于电学及质谱分析方法测定了掺Te,及未掺杂InSb晶体横截面上的杂质浓度分布。结果指出,杂质在小平面上具有明显的反常分凝现象,对于小平面效应的机制进行了讨论,并根据热力学理论给出了一个能满意解释实验结果的具体表式。
镁-锌时效合金中一维过渡相β′2的晶体学研究
苏千武, 许顺生
1980, 29 (1): 25-34. doi: 10.7498/aps.29.25
摘要 +
采用X射线衍射方法,显示出镁-5Wt%锌合金在165℃时效初期有两种过渡相β′1和β′2共存。对细杆状过渡相,β′2的一维衍射现象进行了详细分析。这种过渡相具有六角点阵结构,其[0001]轴是杆的长轴,它的点阵常数及与母相间的取向关系经测定为:a(β′2)=13.2?,c(β′2)=5.25?,[0001](β′2)
衍射分析用的X射线管谱线纯度的定量测定
郭常霖
1980, 29 (1): 35-45. doi: 10.7498/aps.29.35
摘要 +
本文提出了衍射分析用的X射线管谱线纯度的定量测定方法。在国产衍射仪上用石英单晶作分光晶体进行展谱测定。实验测得的各种波长X射线的强度应还原为X射线管窗口处的出射强度。对影响强度的各种因素作了详细的理论分析,给出了对应于不同靶、不同杂质元素的强度还原换算因子表。X射线管阳极靶元素主特征谱线强度用铜或铝吸收箔进行衰减,以避免计数损失造成的误差。用这一方法,对许多X射线管进行了测定。
托卡马克中等离子体频率附近的增强辐射现象
夏蒙棼, 吴京生, 周如玲, 康寿万, 蔡诗东
1980, 29 (1): 46-53. doi: 10.7498/aps.29.46
摘要 +
实验提出托卡马克中的等离子体频率附近的增强辐射现象与高能逃逸电子有关,但是辐射的机制尚未完全弄清。本文讨论了两种可能的机制。一种是诱发辐射,这是来自逃逸电子与波的反常迴旋共振。另一种是自发辐射,主要来自契仑柯夫共振。前者要求逃逸电子的能量比后者为大,因此,自发辐射理论更引人注意。在很宽的参数变化范围内对辐射率作了数值计算。对于等离子体频率大于迴旋频率的情况也作了讨论。
钕玻璃的光谱性质
陈述春, 祁长鸿, 戴凤妹
1980, 29 (1): 54-63. doi: 10.7498/aps.29.54
摘要 +
本文分析了Nd3+在玻璃中的stark分裂情况,描写了确定荧光能级的实验方法,并给出了钕在四种硅酸盐玻璃中亚稳态和基态能级Stark分裂的实验结果。同时,对十三种不同成份的玻璃,通过光谱实验确定了Nd3+ 4F3/2态的辐射和无辐射跃迁速率,受激发射截面σ,辐射量子效率η,荧光分支比β和亚稳态寿命τ等激光常用参数。并对实验结果进行了讨论。
广义相对论中负指数多层球的结构及稳定性
褚耀泉, 程福臻, 方励之
1980, 29 (1): 64-72. doi: 10.7498/aps.29.64
摘要 +
本文运用广义相对论讨论了满足负指数多方状态方程的流体多层球。经典引力理论与相对论性理论的差别由σ标志。σ是球体中心处的压力与密度之比。通过数值积分得到了ned*也增大。
关联函数的长时间渐近行为——波对弛豫过程的影响
霍裕平
1980, 29 (1): 73-92. doi: 10.7498/aps.29.73
摘要 +
本文从非平衡态统计的一般理论出发,系统地讨论了宏观体系中波对弛豫过程的影响,特别是关联函数的非指数型渐近行为。由于表象选择对处理耗散过程的重要性,我们必须从元激发表象出发(而不是自由粒子表象)计算关联函数或输运系数(久保公式)。为此,应用了C代数的基本概念,发展了一套算子展开的方法,用之将流算子在元激发二次量子化表象中一般地表示出来。我们从刘维算子的预解式出发,对元激发间的剩余相互作用作微扰,应用了投影算子方法后,可以比较简单地得到关联函数非指数衰减部分的一般表达式。根据对元激发处理过程的分析,我们将元激
真空中某些非晶体材料出气的扩散理论
高本辉, 薛大同
1980, 29 (1): 93-105. doi: 10.7498/aps.29.93
摘要 +
真空中材料出气过程曾有Dayton,Schram,Jaeckel分别给出过理论假设和模型,这些理论仍为当前研究出气过程的基本依据。但是人们早已发现,当测量非晶体材料,例如:塑料、橡胶等的出气过程时,实验与理论之间仍然有矛盾。1964年我们曾提出了“双重叠加扩散”和“非均匀浓度扩散”两个理论模型,能够解释实验结果中的各种现象。在测量出气速率的工作中,我们还对实验方法做了改进。
研究简报
环形非圆截面等离子体自由界面的磁流体平衡方程解
庆承瑞, 周玉美
1980, 29 (1): 106-110. doi: 10.7498/aps.29.106
摘要 +
在有导体壁的条件下,对于各种趋肤的及趋中心分布的等离子体纵向电流,用一种统一的迭代方法,计算了相应的自由界面的磁流体平衡方程解,并讨论了这种方法适用的范围。
全息凹面光栅单色仪
姜亚光, 宋从龙
1980, 29 (1): 111-116. doi: 10.7498/aps.29.111
摘要 +
此种单色仪专配焦比约为F/3的全息凹面光栅。在机械结构简单的前提下,设计了一种新光路,使其聚焦精度尽可能地提高。设计的基本思想是在濑谷-布岗(Seya-Namioka)和Johnson装置的基础上另选转轴的位置,并选用两个标准波长来校正光谱,这类似于三点统调法。所得结果比濑谷-布岗装置和Johnson装置都有改善。按照这种设计装架了JS-II型凹面光栅单色仪。仪器可在波长为2500?至10000?范围内工作,在3500?至6500?范围内,由于聚焦偏离而引起的分辨率损失不超过1?。
GGG单晶的助熔生长与成核温度的确定
刘寄浙, 金通政, 刘公强
1980, 29 (1): 117-121. doi: 10.7498/aps.29.117
摘要 +
我们研究了GGG单晶的助熔生长,实验证明在PbO-PbF2系助熔剂中GGG结晶的组分范围相当宽,生长相当稳定,而且位错密度较低。用感生条纹技术确定了GGG晶体生长的成核温度。
Si(111)表面原子弛豫研究
张开明, 叶令
1980, 29 (1): 122-126. doi: 10.7498/aps.29.122
摘要 +
本文用原子集团模型和推广的Hueker方法研究Si(111)面的表面弛豫,得到表面Si原子向体内弛豫0.10?的结论,改进了已有的经验估计和理论计算结果,与LEED的分析结果符合较好。
A型和B型超导体的临界场
张裕恒, 曹效文
1980, 29 (1): 127-130. doi: 10.7498/aps.29.127
摘要 +
本文分析了超导体的热力学临界场Hc(0)的实验数据,得到A型和B型超导体的Hc(0)分别随λ和λ〈ω2〉增大而增加的结论。
在扫描电子显微镜中所观察到钨的奇异花样
廖乾初, 王云, 王洪君, 蓝芬兰
1980, 29 (1): 131-137. doi: 10.7498/aps.29.131
摘要 +
当钨试样倾斜到不同位向以记录一系列电子通道花样时,在方向,方向和方向的准确位置下,观察到一些奇异花样叠加在电子通道花样上。这些奇异花样颇类似于在透射电子显微镜中所观察到的Kossel花样。这种花样具有两个重要性质:(1)花样的强度分布是随着电子能量(电子的加速电压)而改变;(2)花样的几何形貌可以用来描述晶体内部结构的一些特征。最后,从异常散射效应和晶格位与入射电子间相互作用强度a的观点,定性地解释了这种花样的衬度效应来源。