搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

In掺杂对n型方钴矿化合物的微结构及热电性能的影响规律

周龙 李涵 苏贤礼 唐新峰

In掺杂对n型方钴矿化合物的微结构及热电性能的影响规律

周龙, 李涵, 苏贤礼, 唐新峰
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  649
  • PDF下载量:  459
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2010-04-20
  • 修回日期:  2010-05-12
  • 刊出日期:  2010-10-15

In掺杂对n型方钴矿化合物的微结构及热电性能的影响规律

  • 1. 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉 430070
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB607501)、国家自然科学基金重点项目(批准号:50731006)和国家111计划(批准号:B07040)资助的课题.

摘要: 用熔融退火法结合放电等离子烧结(SPS)技术成功制备了具有不同 In含量的InxCo4Sb12(x=0.1—0.4)方钴矿化合物.X射线衍射分析和扫描电镜分析结果表明,当In的掺杂量超过一定值时,化合物中会原位析出纳米InSb的第二相,且其含量会随In掺杂量的增加而增大.研究结果表明,InSb第二相的存在增大了化合物的功率因子,降低了化合物的晶格热导率,显著提高了化合物的热电性能.在温度为800 K时,In

English Abstract

参考文献 (12)

目录

    /

    返回文章
    返回