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N掺杂SnO2材料光电性质的第一性原理研究

于峰 王培吉 张昌文

N掺杂SnO2材料光电性质的第一性原理研究

于峰, 王培吉, 张昌文
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  • 采用全电势线性缀加平面波(full potential linearized augmented plane wave method,简记为FP-LAPW)方法,基于密度泛函理论第一性原理计算分析N掺杂SnO2材料,研究了在N替代O原子和N替代Sn原子情况下的电子态密度、电荷密度分布以及光学性质.研究表明N掺杂替代Sn较之N掺杂替代O原子的带隙要宽,都宽于SnO2的本征带隙,且两种情况下N分别处于负氧化态和正氧化态,其介电函数谱也与带隙对应发生蓝移,从理论上指出
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60471042)和山东省自然科学基金(批准号:Y2005A05)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-12-01
  • 修回日期:  2010-02-08
  • 刊出日期:  2010-10-15

N掺杂SnO2材料光电性质的第一性原理研究

  • 1. 济南大学理学院,济南 250022
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60471042)和山东省自然科学基金(批准号:Y2005A05)资助的课题.

摘要: 采用全电势线性缀加平面波(full potential linearized augmented plane wave method,简记为FP-LAPW)方法,基于密度泛函理论第一性原理计算分析N掺杂SnO2材料,研究了在N替代O原子和N替代Sn原子情况下的电子态密度、电荷密度分布以及光学性质.研究表明N掺杂替代Sn较之N掺杂替代O原子的带隙要宽,都宽于SnO2的本征带隙,且两种情况下N分别处于负氧化态和正氧化态,其介电函数谱也与带隙对应发生蓝移,从理论上指出

English Abstract

参考文献 (25)

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