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电沉积Cu(In, Ga)Se2预置层硫化退火制备Cu(In, Ga)(Se, S)2薄膜及表征

赖延清 匡三双 刘芳洋 张治安 刘军 李劼 刘业翔

电沉积Cu(In, Ga)Se2预置层硫化退火制备Cu(In, Ga)(Se, S)2薄膜及表征

赖延清, 匡三双, 刘芳洋, 张治安, 刘军, 李劼, 刘业翔
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-04-09
  • 修回日期:  2009-05-31
  • 刊出日期:  2010-02-15

电沉积Cu(In, Ga)Se2预置层硫化退火制备Cu(In, Ga)(Se, S)2薄膜及表征

  • 1. 中南大学冶金科学与工程学院,长沙 410083
    基金项目: 

    高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:200805331121)和湖南省自然科学基金(批准号:09JJ3110)资助的课题.

摘要: 在550 ℃下的H2S气氛中退火处理电沉积制备的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)预置层,制备了太阳电池光吸收层Cu(In,Ga)(Se,S)2(CIGSS)薄膜.采用X射线能量色散谱、俄歇电子能谱、扫描电镜、X射线衍射和拉曼光谱对退火前后的薄膜进行表征.结果表明,H2S气氛下退火能够实现薄膜中O的去除和S的掺入,同时使得各元素的纵向分布更加均匀并可消除Cu-Se微相.此外,H2S退火还可改善薄膜的结晶性能,并使S和Ga进入黄铜矿结构,薄膜晶格参数变小.

English Abstract

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