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90 nm CMOS工艺下p+深阱掺杂浓度对电荷共享的影响

刘凡宇 刘衡竹 刘必慰 梁斌 陈建军

90 nm CMOS工艺下p+深阱掺杂浓度对电荷共享的影响

刘凡宇, 刘衡竹, 刘必慰, 梁斌, 陈建军
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  • 基于3维TCAD器件模拟,研究了90 nm CMOS双阱工艺下p+深阱掺杂对电荷共享的影响. 研究结果表明:改变p+深阱的掺杂浓度对PMOS管之间的电荷共享的影响要远大于NMOS管;通过增加p+深阱的掺杂浓度可以有效抑制PMOS管之间的电荷共享. 这一结论可用于指导电荷共享的加固.
    • 基金项目: 国家自然科学基金重点项目(批准号:60836004),国家自然科学基金(批准号:61006070)资助的课题.
    [1]

    Jderström H, Murin Y, Babain Y, Chubarov M, Pljuschev V, Zubkov M, Nomokonov P, Olsson N, Blomgren J, Tippawan U, Westerberg L, Golubev P, Jakobsson B, Gerén L, Tegnér P E, Zartova I, Budzanowski A, Czech B, Skwirczynska I, Kondratiev V, Tang H H K, Aichelin J, Watanabe Y, Gudima K K 2008 Phys. Rev. C 77 2813

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    Olson B D, Ball D R, Warren K M, Massengill L W, Haddad N F, Doyle S E, McMorrow D 2005 IEEE Trans. Nucl. Sci. 52 2132

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    Massengill L W, Amusan O A, Dasgupta S, Sternberg A L, Black J D, Witulski A F, Bhuva B L, Alles M L 2007 International Conference on Integrated Circuit Design and Technology 213—216

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    Amusan O A, Casey M C, Bhuva B L, McMorrow D, Gadlage M J, Melinger J S, Massengill L W 2009 IEEE Trans. Nucl. Sci. 56 3065

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  • [1] 刘必慰, 陈建军, 陈书明, 池雅庆. 带有n+深阱的三阱CMOS工艺中寄生NPN双极效应及其对电荷共享的影响. 物理学报, 2012, 61(9): 096102. doi: 10.7498/aps.61.096102
    [2] 张晋新, 郭红霞, 郭旗, 文林, 崔江维, 席善斌, 王信, 邓伟. 重离子导致的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应电荷收集三维数值模拟. 物理学报, 2013, 62(4): 048501. doi: 10.7498/aps.62.048501
    [3] 李培, 郭红霞, 郭旗, 文林, 崔江维, 王信, 张晋新. 锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与仿真. 物理学报, 2015, 64(11): 118502. doi: 10.7498/aps.64.118502
    [4] 张晋新, 贺朝会, 郭红霞, 唐杜, 熊涔, 李培, 王信. 不同偏置影响锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的三维数值仿真研究. 物理学报, 2014, 63(24): 248503. doi: 10.7498/aps.63.248503
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-04-15
  • 修回日期:  2010-07-24
  • 刊出日期:  2011-04-15

90 nm CMOS工艺下p+深阱掺杂浓度对电荷共享的影响

  • 1. 国防科技大学计算机学院微电子与微处理器研究所,长沙 410073
    基金项目: 

    国家自然科学基金重点项目(批准号:60836004),国家自然科学基金(批准号:61006070)资助的课题.

摘要: 基于3维TCAD器件模拟,研究了90 nm CMOS双阱工艺下p+深阱掺杂对电荷共享的影响. 研究结果表明:改变p+深阱的掺杂浓度对PMOS管之间的电荷共享的影响要远大于NMOS管;通过增加p+深阱的掺杂浓度可以有效抑制PMOS管之间的电荷共享. 这一结论可用于指导电荷共享的加固.

English Abstract

参考文献 (20)

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