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第一性原理研究In,N共掺杂SnO2材料的光电性质

逯瑶 王培吉 张昌文 蒋雷 张国莲 宋朋

第一性原理研究In,N共掺杂SnO2材料的光电性质

逯瑶, 王培吉, 张昌文, 蒋雷, 张国莲, 宋朋
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  • 采用全电势线性缀加平面波(FP-LAPW)的方法,基于密度泛函理论第一性原理结合广义梯度近似(GGA),运用Wien2k软件计算了In, N两种元素共掺杂SnO2材料的电子态密度和光学性质. 研究表明,共掺杂结构在自旋向下和向上两方向上都出现细的局域能级,两者态密度分布不对称;带隙内自旋向下方向上产生局域能级,共掺化合物表现出半金属性;能带结构显示两种共掺杂化合物仍为直接禁带半导体,价带顶随着N浓度的增加发生向低能方向移动,带隙明显增宽;共掺下的介电函数虚部主介电峰只在8.58 eV
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60471042)、山东省自然科学基金(批准号: ZR2010EL017)、济南大学博士基金(批准号: xbs1043)资助的课题.
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    Aukkaravittayapun S, Wongtida N, Kasecwatin T, Charojrochkul S, Unnanon K, Chindaudom K 2006 Thin Solid Films 496 117

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    Yamamoto T, Yoshida H K 1999 Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 38 166

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    Yamamoto T, Katayama Y H 2001 Physica B 302 155

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    Bolzan A A, Fong C, Kennedy B J, Howard C J 1997 Acta Cryst. B 53 373

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出版历程
  • 收稿日期:  2010-08-03
  • 修回日期:  2010-09-16
  • 刊出日期:  2011-03-05

第一性原理研究In,N共掺杂SnO2材料的光电性质

  • 1. 济南大学理学院,济南 250022
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60471042)、山东省自然科学基金(批准号: ZR2010EL017)、济南大学博士基金(批准号: xbs1043)资助的课题.

摘要: 采用全电势线性缀加平面波(FP-LAPW)的方法,基于密度泛函理论第一性原理结合广义梯度近似(GGA),运用Wien2k软件计算了In, N两种元素共掺杂SnO2材料的电子态密度和光学性质. 研究表明,共掺杂结构在自旋向下和向上两方向上都出现细的局域能级,两者态密度分布不对称;带隙内自旋向下方向上产生局域能级,共掺化合物表现出半金属性;能带结构显示两种共掺杂化合物仍为直接禁带半导体,价带顶随着N浓度的增加发生向低能方向移动,带隙明显增宽;共掺下的介电函数虚部主介电峰只在8.58 eV

English Abstract

参考文献 (21)

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