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光通信用雪崩光电二极管(APD)频率响应特性研究

莫秋燕 赵彦立

光通信用雪崩光电二极管(APD)频率响应特性研究

莫秋燕, 赵彦立
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  • 吸收层、电荷层和倍增层分离结构雪崩光电二极管(SACM-APD),包括InP/InGaAs、InAlAs/InGaAs和Si/Ge APD是光通信领域近年来研究的热点. 本文基于电路模型,系统比较了不同外延层厚度、不同材料以及不同结构APD的频率响应特性,重点探讨Si/Ge APD吸收层厚度、光敏面大小、寄生参数等各项参数对带宽的影响,仿真结果与实际器件实验数据相符合. 本文的研究成果对SACM-APD的优化设计具有指导意义.
    • 基金项目: 国家高技术研究发展计划(批准号:2008AA01Z207),湖北省自然科学基金(批准号:2010CDB01606),华为公司创新研究计划(批准号:YJCB2010032NW)和教育部留学归国基金资助的课题.
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    [12]

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    [21]

    Ning D, Wang S, Zheng X G, Li X, Ning L, Campbell J C, Chad W, Coldren L A 2005 IEEE J. Quantum Electron 41 568

    [22]

    kim D S, Lee S Y, Lee J H, Oh G S, Kim N J, Lee J W, Kim A S, Sin Y K 1996 Conf. Proc. IEEE Laser and Electro-Optics society Annu. Meet. 2 332

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    Nie H, Anselm K A, Lenox C, Yuan P, Hu C, Kinsey G, Streetman B G, Campbell J C 1998 IEEE Photonics Technology Letters 10 409

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    Zhu N H, Liu Y, Zhang S J, Wen J M 2006 Microwave Opt. Tech. Lett. 48 76

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  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2010-04-20
  • 修回日期:  2010-09-02
  • 刊出日期:  2011-07-15

光通信用雪崩光电二极管(APD)频率响应特性研究

  • 1. 华中科技大学光电子科学与工程学院,武汉光电国家实验室,武汉 430074
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(批准号:2008AA01Z207),湖北省自然科学基金(批准号:2010CDB01606),华为公司创新研究计划(批准号:YJCB2010032NW)和教育部留学归国基金资助的课题.

摘要: 吸收层、电荷层和倍增层分离结构雪崩光电二极管(SACM-APD),包括InP/InGaAs、InAlAs/InGaAs和Si/Ge APD是光通信领域近年来研究的热点. 本文基于电路模型,系统比较了不同外延层厚度、不同材料以及不同结构APD的频率响应特性,重点探讨Si/Ge APD吸收层厚度、光敏面大小、寄生参数等各项参数对带宽的影响,仿真结果与实际器件实验数据相符合. 本文的研究成果对SACM-APD的优化设计具有指导意义.

English Abstract

参考文献 (25)

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