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直拉法生长的YAG单晶体中组分过冷引起的针状应力区和位错

葛传珍 徐秀英 冯端

直拉法生长的YAG单晶体中组分过冷引起的针状应力区和位错

葛传珍, 徐秀英, 冯端
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出版历程
  • 收稿日期:  1980-07-12
  • 刊出日期:  1981-01-05

直拉法生长的YAG单晶体中组分过冷引起的针状应力区和位错

  • 1. 南京大学固体物理研究所

摘要: 本文研究了掺钕的YAG(Y3Al5O12)晶体在组分过冷条件下,固液界面的形态演变以及产生的钕离子的富集区。该富集区在正交偏光下表现为针状应力区。利用光弹方法确定了该应力为压应力,且应力分布具有圆柱对称性。通过浸蚀法和双折射貌相法观察到在钕富集区边界处存在位错列,并测定了位错的线密度。其结果与根据钕的浓度差值估计的密度大体符合。故认为这些位错是钕富集区边界处点阵失配所引起的。

English Abstract

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