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考虑晶粒尺寸效应的超薄(1050 nm) Cu电阻率模型研究

王宁 董刚 杨银堂 陈斌 王凤娟 张岩

考虑晶粒尺寸效应的超薄(1050 nm) Cu电阻率模型研究

王宁, 董刚, 杨银堂, 陈斌, 王凤娟, 张岩
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  • 结合Marom模型与实验数据, 给出了晶粒尺寸与金属薄膜厚度的关系式. 基于已有的理论模型, 针对厚度为1050 nm Cu薄膜, 考虑到表面散射与晶界散射以及电阻率晶粒尺寸效应, 提出一种简化电阻率解析模型. 结果表明, 在1020 nm薄膜厚度范围内, 考虑晶粒尺寸效应后的简化模型与现有实验数据符合得更好. 相对于Lim, Wang与Marom模型, 所提模型的相对标准差分别降低74.24%, 54.85%, 78.29%.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 60606006)和国家杰出青年基金(批准号: 60725415)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-05-07
  • 修回日期:  2011-07-01
  • 刊出日期:  2012-01-05

考虑晶粒尺寸效应的超薄(1050 nm) Cu电阻率模型研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子所, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60606006)和国家杰出青年基金(批准号: 60725415)资助的课题.

摘要: 结合Marom模型与实验数据, 给出了晶粒尺寸与金属薄膜厚度的关系式. 基于已有的理论模型, 针对厚度为1050 nm Cu薄膜, 考虑到表面散射与晶界散射以及电阻率晶粒尺寸效应, 提出一种简化电阻率解析模型. 结果表明, 在1020 nm薄膜厚度范围内, 考虑晶粒尺寸效应后的简化模型与现有实验数据符合得更好. 相对于Lim, Wang与Marom模型, 所提模型的相对标准差分别降低74.24%, 54.85%, 78.29%.

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