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SiC过渡层对氟化类金刚石薄膜附着特性的影响

潘越 赵强 江舸 周杨 江美福 杨亦赏

SiC过渡层对氟化类金刚石薄膜附着特性的影响

潘越, 赵强, 江舸, 周杨, 江美福, 杨亦赏
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  • 采用射频反应磁控溅射法在316L不锈钢基片上分别沉积了两种薄膜: 一种是氟化类金刚石薄膜(F-DLC), 另一种是先镀上一定厚度的SiC过渡层再沉积F-DLC. 着重研究了薄膜的附着力随过渡层制备条件的变化规律.结果显示, 增加SiC过渡层后薄膜的附着力明显增加, 且附着力随SiC过渡层的制备条件有所变化, 在射频输入功率为200 W, 沉积时间5 min制备出的SiC过渡层上再沉积F-DLC时, 附着力可达8.7 N, 远高于未加过渡层时F-DLC膜的附着力(4 N). 通过研究SiC的沉积速率曲线、表面形貌和红外光谱, 探讨了SiC过渡层及其制备条件影响薄膜附着力的相关机制.
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-07-07
  • 修回日期:  2012-08-06
  • 刊出日期:  2013-01-05

SiC过渡层对氟化类金刚石薄膜附着特性的影响

  • 1. 苏州大学物理科学与技术学院, 苏州 215006;
  • 2. 四川大学物理科学与技术学院, 成都 610065

摘要: 采用射频反应磁控溅射法在316L不锈钢基片上分别沉积了两种薄膜: 一种是氟化类金刚石薄膜(F-DLC), 另一种是先镀上一定厚度的SiC过渡层再沉积F-DLC. 着重研究了薄膜的附着力随过渡层制备条件的变化规律.结果显示, 增加SiC过渡层后薄膜的附着力明显增加, 且附着力随SiC过渡层的制备条件有所变化, 在射频输入功率为200 W, 沉积时间5 min制备出的SiC过渡层上再沉积F-DLC时, 附着力可达8.7 N, 远高于未加过渡层时F-DLC膜的附着力(4 N). 通过研究SiC的沉积速率曲线、表面形貌和红外光谱, 探讨了SiC过渡层及其制备条件影响薄膜附着力的相关机制.

English Abstract

参考文献 (22)

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