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低补偿度n-Hg1-xCdxTe的磁致金属-绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为

韦亚一 郑国珍 郭少令 汤定元

低补偿度n-Hg1-xCdxTe的磁致金属-绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为

韦亚一, 郑国珍, 郭少令, 汤定元
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-12-08
  • 刊出日期:  1994-12-20

低补偿度n-Hg1-xCdxTe的磁致金属-绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为

  • 1. 上海红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所

摘要: 报道了x=0.214组份、低补偿度(K《1)n-Hg1-xCdxTe晶体在0.3─30K温度范围,0─7T强磁场下的横向磁阻、电子霍耳迁移率、霍耳系数测量结果,观测到了磁致金属-绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为。分析实验数据,提出:低补偿度、组份:x=0.2附近的n-Hg1-xCdxTe,磁致金属-绝缘体相变(MIT)发生的机理是载流子在浅施主杂质态上的磁冻结;发生磁冻结的前提是热冻出(thermal freeze

English Abstract

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