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高亮度蓝绿色长余辉材料Ba4 (Si3O8)2:Eu2+, Pr3+的发光性能及其余辉机理研究

王鹏久 徐旭辉 邱建备 周大成 刘雪娥 程帅

高亮度蓝绿色长余辉材料Ba4 (Si3O8)2:Eu2+, Pr3+的发光性能及其余辉机理研究

王鹏久, 徐旭辉, 邱建备, 周大成, 刘雪娥, 程帅
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-10-22
  • 修回日期:  2014-01-03
  • 刊出日期:  2014-04-05

高亮度蓝绿色长余辉材料Ba4 (Si3O8)2:Eu2+, Pr3+的发光性能及其余辉机理研究

  • 1. 云南省新材料制备与加工重点实验室, 昆明理工大学材料科学与工程学院, 昆明 650093
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:61265004,51272097,11204113)和云南省自然科学教育基金(批准号:2011C13211708)资助的课题.

摘要: 通过高温固相法在还原气体保护下合成Ba4(Si3O8)2:Eu2+,Pr3+样品及一系列参比样品. 分别利用两种模式测得光致发光与余辉光谱. 结果显示:光致发光与余辉的发光中心均是Eu2+离子;共掺Pr3+在基质中引入新的俘获载流子的缺陷. 热释光与余辉衰减测试表明,与单掺Eu2+所形成的陷阱深度相比,共掺Pr3+导致余辉强度增强是归因于:在浅陷阱区(T1区)的陷阱深度变得更浅. 而余辉时间增长是归因于:在深陷阱区(T2区)深陷阱密度大幅度减少. 同时发现在不同激发波长下激发,余辉机理中的激发路径归结于以下两种过程. 其一:268 nm 激发时,是基质中的电子被直接激发至陷阱. 其二:330 nm或365 nm激发时,电子从Eu2+基态激发至激发态. 随后部分电子通过导带运输被陷阱中心所俘获. 因此,余辉强度的不同归结为以上两种载流子俘获路径的不同.

English Abstract

参考文献 (20)

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