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位错芯区扩散引起的非线性滞弹性内耗峰

葛庭燧

位错芯区扩散引起的非线性滞弹性内耗峰

葛庭燧
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出版历程
  • 收稿日期:  1995-04-27
  • 刊出日期:  1996-06-20

位错芯区扩散引起的非线性滞弹性内耗峰

  • 1. 中国科学院固体物理研究所,合肥230031;中国科学院力学研究所,北京100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题

摘要: 若干年来,我们对于出现在Al-Cu和Al-Mg系中的表现正常和反常振幅效应的坐落在室温附近的内耗峰进行了系统研究,测得的激活能接近于溶质原子在位错管道中扩散的激活能,从而认为内耗峰的基本过程是溶质原子在隹错芯内的扩散,并且提出了根据位错弯结模型的物理图像。在70年代,Windler-Gniewek等根据弦模型对于位错芯内的扩散进行了理论计算,推导出描述内耗行为的数学表达式与我们的实验结果有许多相似之处。本文对于弦模型和弯结模型进行了对比,分析了位错芯内的纵向扩散和横向扩散所引起的内耗的非线性表现以及内耗峰温和峰高随着应变振幅和测量温度而变化的情况,进一步了我们发现的室温非线性内耗峰(非线性滞弹性内耗)是由于溶质原子在位错芯内扩散所引起的。

English Abstract

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