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GaN中与C和O有关的杂质能级第一性原理计算

沈耀文 康俊勇

GaN中与C和O有关的杂质能级第一性原理计算

沈耀文, 康俊勇
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-06-20
  • 修回日期:  2001-08-22
  • 刊出日期:  2005-04-03

GaN中与C和O有关的杂质能级第一性原理计算

  • 1. 厦门大学物理系,厦门361005
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号 :6 9976 0 23)资助的课题~

摘要: 用局域密度泛函线性丸盒轨道大型超原胞方法(32个原子),对纯纤锌矿结构的GaN用调节计算参数(如原子球与“空球”的占空比)在自洽条件下使Eg的计算值(323eV)接近实验值(35eV).然后以原子替代方式自洽计算杂质能级在Eg中的相对位置.模拟计算了六角结构GaN中自然缺陷以及与C和O有关的杂质能级位置,包括其复合物.计算结果表明,单个缺陷如镓空位VGa、氮空位VN、氧代替氮ON、炭代替氮CN、炭代替镓CGa等与已有的计算结果基本一致.计算结果表明杂质复合物会导致单个杂质能级位置的相对变化.计算了CNON,CGaCN,CNOV和CGaVGa,其中CNON分别具有深受主与浅施主的特征,是导致GaN黄光的一种可能的结构.

English Abstract

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