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充电栅压对聚四氟乙烯多孔膜驻极体储电能力的影响

吴越华 夏钟福 王飞鹏 邱勋林

充电栅压对聚四氟乙烯多孔膜驻极体储电能力的影响

吴越华, 夏钟福, 王飞鹏, 邱勋林
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-12-31
  • 修回日期:  2003-05-20
  • 刊出日期:  2003-12-20

充电栅压对聚四氟乙烯多孔膜驻极体储电能力的影响

  • 1. 同济大学波尔固体物理研究所,上海 200092
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50073016)和德国大众汽车厂基金会(批准号:Ref.I/77365)资助的课题.

摘要: 利用室温下栅控恒压电晕充电、热脉冲技术、开路热刺激放电电流谱以及对在充电过程中通过样品电流的监测等方法,系统地研究了充电栅压对具有开放性孔洞结构的聚四氟乙烯(PTFE)多孔膜储电能力的影响,并讨论了导致这类影响的电荷动力学特性和材料的微结构根源 .结果显示,过高的充电栅压会导致沉积电荷密度下降和电荷衰减加剧,不利于这类新结构 功能材料压电活性的提高及其热稳定性的改善.合理的优化充电条件能使负极性充电PTFE多 孔膜驻极体在有机聚合物材料中显示优异的储电能力及电荷稳定性,并改善其作为双极性空 间电荷型压电传

English Abstract

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