搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

InSb的锂嵌入形成能第一原理计算

刘慧英 杨 勇 侯柱锋 朱梓忠 黄美纯

InSb的锂嵌入形成能第一原理计算

刘慧英, 杨 勇, 侯柱锋, 朱梓忠, 黄美纯
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3275
  • PDF下载量:  913
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2002-09-09
  • 修回日期:  2002-10-14
  • 刊出日期:  2003-07-20

InSb的锂嵌入形成能第一原理计算

  • 1. (1)集美大学计算科学与应用物理系,厦门 361021;厦门大学物理系,厦门 361005; (2)厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室,厦门 361005; (3)厦门大学物理系,厦门 361005
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10174058)及福建省高等学校科技项目(批准号:ZA02242) 资助的课题.

摘要: InSb材料在近来的锂离子电池负极材料研究中受到了重视.使用基于局域密度泛函理论的第一原理赝势法,计算了锂离子电池非碳类负极材料InSb各种锂嵌入情况时的形成能以及相应的电子结构.讨论了锂嵌入时的体积变化、能带结构、电子态密度以及电荷分布等性质.计算发现,闪锌矿结构的InSb材料,锂嵌入到主体材料的间隙位置时的形成能平均每个锂原子都在2.2eV左右.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回