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锑化铟中载流子的复合过程

黄启圣 汤定元

锑化铟中载流子的复合过程

黄启圣, 汤定元
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出版历程
  • 收稿日期:  1964-04-30
  • 刊出日期:  2005-08-05

锑化铟中载流子的复合过程

摘要: 用定态光电导及光磁电的方法测量了p型n型InSb在85—290°K之间的电子及空穴的寿命。在室温附近,所有样品的截流子寿命都趋于同一值,在290°K时为3×10-8秒。从寿命的绝对值及温度依赖关系,以及掺杂对寿命的影响,可以肯定在室温附近起主要作用的复合过程是带间碰撞复合过程。在200°K以下,p型样品中的电子寿命与空穴寿命有很大差别,表明有陷阱作用。用位于价带之上0.05eV的复合中心及位于导带之下0.11eV的电子陷阱能完满地解释200°K以下的寿命与温度的依赖关系。

English Abstract

参考文献 (1)

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