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静电场作用下α一LiIO3单晶中子衍射增强现象的理论解释

许政一 李铁城 顾本源

静电场作用下α一LiIO3单晶中子衍射增强现象的理论解释

许政一, 李铁城, 顾本源
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出版历程
  • 收稿日期:  1978-07-28
  • 刊出日期:  2005-07-30

静电场作用下α一LiIO3单晶中子衍射增强现象的理论解释

  • 1. 中国科学院物理研究所

摘要: 本文根据(1)在偏振锥光下,用显微镜观察到α-LiIO3单晶中层状缺陷在静电场作用下的变化;(2)静电场对a-LiIO3单晶的X射线形貌象的影响;(3)用X射线双晶衍射测得α-LiIO3单晶晶格参数的不均匀性,指出α-LiIO3单晶在静电场作用下中子衍射增强现象是由于晶体中的空间电荷(载流子、杂质离子和空位)在宏观尺度缺陷处富集,造成晶格参数有一定梯度。我们对通常计算中子布喇格散射截面的玻恩近似,引入消光修正,得到畸变晶格中子衍射强度公式,可以解释文献[4—6]中观察到的各种现象。

English Abstract

参考文献 (1)

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