搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

Cl在GaAs(110)面上的吸附

张开明 叶令

Cl在GaAs(110)面上的吸附

张开明, 叶令
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2101
  • PDF下载量:  424
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1980-11-27
  • 刊出日期:  2005-07-27

Cl在GaAs(110)面上的吸附

  • 1. 复旦大学现代物理研究所

摘要: 本文主要研究Cl是吸附在GaAs(110)理想表面还是弛豫表面,是与表面正离子成键还是与表面负离子成键。计算采用集团模型和密度自洽的EHT方法。结果表明Cl只能吸附在弛豫的GaAs(110)面上,与表面As原子成键。在这个位置上吸附Cl的态密度与实验符合较好。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回