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理想第二类超导薄膜的纵场临界电流

吴杭生 顾一鸣

理想第二类超导薄膜的纵场临界电流

吴杭生, 顾一鸣
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出版历程
  • 收稿日期:  1982-04-26
  • 刊出日期:  2005-07-21

理想第二类超导薄膜的纵场临界电流

  • 1. 中国科学技术大学

摘要: 本文分析了一个在纵向磁场He中,载流的理想第二类超导薄膜(ξ(T)《d≤λ(T))的混合态结构。指出,只有当He>(Hc1)(d)时,超导膜的混合态才具有无阻负载电流的能力。本文得到的纵场临界电流曲线具有复杂的结构,并且一般均呈现峰值效应。Heaton及Rose-Innes测得的Nb55Ta45合金的Ic-He曲线和d>5λ时的理论曲线相比较,在主要特征上是相同的。

English Abstract

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