搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

掺杂聚吡咯薄膜的金属电导

王萍 万梅香 毕先同 姚幼新 钱人元

掺杂聚吡咯薄膜的金属电导

王萍, 万梅香, 毕先同, 姚幼新, 钱人元
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2349
  • PDF下载量:  401
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1984-02-23
  • 刊出日期:  2005-03-28

掺杂聚吡咯薄膜的金属电导

  • 1. 中国科学院化学研究所

摘要: 用电化学方法制备了以BF4-,HSO4-和ClO4-掺杂的聚吡咯薄膜,其电导率和电导率的温度依赖性分别用标准四探针法和电压端短路法VSC(Voltage Shorted compaction)测试。实验结果表明:由标准四探针法所得到的电导率的温度依赖性呈现典型的半导体特性。由于掺杂聚吡咯薄膜的形态是块状物的堆砌,四探针法所得电导率及其温度依赖性由块与块之间的接触电阻所限制,并

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回