搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

助催化剂Co与单晶MoS2边缘面区域及离子溅射解理面相互作用

胡永军 林彰达 王昌衡 谢侃

助催化剂Co与单晶MoS2边缘面区域及离子溅射解理面相互作用

胡永军, 林彰达, 王昌衡, 谢侃
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2343
  • PDF下载量:  558
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1986-01-28
  • 刊出日期:  2005-07-14

助催化剂Co与单晶MoS2边缘面区域及离子溅射解理面相互作用

  • 1. 中国科学院物理研究所

摘要: 为了阐明Co原子在钼硫化态催化剂表面上的助催化作用,本文利用UPS,XPS和LEED,研究了Co-Mo催化剂活性相的层状硫化物半导体MoS2单晶边缘面区域的成分较高的表面以及离子溅射解理面上过渡金属Co的亚原子单层淀积过程。在覆盖度为某个亚原子单层时,表面上存在的与淀积上去的Co有关的界面态,改变了EF能级的钉扎位置(提高了0.30—0.35eV),使表面势垒下降,表面功函数减小。在EF附近电子结构的明显变化和LEED研究的结果表明,在MoS2表面的无序缺陷位置上,可能形成了有利于催化过程的Co-Mo-S类合金键型的活性相。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回