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P与GaAs(100)表面相互作用的温度效应

卢学坤 郝平海 贺仲卿 侯晓远 丁训民

P与GaAs(100)表面相互作用的温度效应

卢学坤, 郝平海, 贺仲卿, 侯晓远, 丁训民
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出版历程
  • 收稿日期:  1991-10-08
  • 刊出日期:  2005-07-03

P与GaAs(100)表面相互作用的温度效应

  • 1. 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 本文采用原位X射线光电子能谱、紫外光电子能谱、高分辨率电子能量损失谱和低能电子衍射技术,研究了温度对P与GaAs(100)表面相互作用的影响。结果表明,经退火后,室温下淀积于GaAs表面的非晶P大部分脱附,仅剩下少量无规分布于表面的P集团。集团中部分P与衬底Ga原子成键,另一部分P则以单质形式存在,继续提高温度退火,将使P集团中的P全部与衬底发生反应生成GaAsP薄层。在高温GaAs衬底上淀积P,将得到GaAsP固溶体薄层。这一薄层有望成为GaAs表面理想的钝化膜。

English Abstract

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