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电子顺磁共振“AsGa”的光淬灭行为与EL2亚稳态机理

邹元燨 汪光裕

电子顺磁共振“AsGa”的光淬灭行为与EL2亚稳态机理

邹元燨, 汪光裕
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出版历程
  • 收稿日期:  1987-06-29
  • 刊出日期:  2005-07-06

电子顺磁共振“AsGa”的光淬灭行为与EL2亚稳态机理

  • 1. 中国科学院上海冶金研究所

摘要: 根据Goltzene等人最近关于原生LEC,HB,压缩变形和中子辐照GaAs中电子顺磁共振(EPR)“AsGa”谱低温光淬灭实验结果,结合Baraff和Schlüter最近关于EL2亚稳态的理论计算,本文认为可进一步证实作者之一在1981年提出的EL2(AsGaVAsVGa)缺陷模型,同时还对Wager和Van Vechten最近提出的EL2(AsGaVAsVGa)的亚稳态机理加以评述和修正。

English Abstract

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