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非晶Si和非晶Si基合金半导体的g因子计算

于工 陈光华 苏玉成 张仿清

非晶Si和非晶Si基合金半导体的g因子计算

于工, 陈光华, 苏玉成, 张仿清
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出版历程
  • 收稿日期:  1989-11-24
  • 刊出日期:  2005-06-16

非晶Si和非晶Si基合金半导体的g因子计算

  • 1. 兰州大学物理系电子材料研究所,兰州730001

摘要: 本文采用改进的CNDO/2(Semi Empirical Hartree-Focu of Complete Neglect of Diffe-rential Overlap)分子轨道方法计算了非晶Si和非晶Si基合金半导体的顺磁共振朗德劈裂因数(g值),讨论了晶格弛豫对g值的影响。计算结果与实验符合。

English Abstract

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