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Bi0.8Pb0.2SrCaCuOy超导体中磁通运动引起的内耗峰

张进修 曾文光 杜仲廉 林光明 梁凯峰 林志成

Bi0.8Pb0.2SrCaCuOy超导体中磁通运动引起的内耗峰

张进修, 曾文光, 杜仲廉, 林光明, 梁凯峰, 林志成
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出版历程
  • 收稿日期:  1989-11-01
  • 刊出日期:  2005-06-17

Bi0.8Pb0.2SrCaCuOy超导体中磁通运动引起的内耗峰

  • 1. 中山大学物理系,广州,510275
    基金项目: 

    国家超导研究开发中心及广东省科学技术委员会资助的课题

摘要: 在线性增加磁场的条件下,用变频倒扭摆测量了配比成份为(Bi0.8Pb0.2)SrCaCu2Oy的试样在超导态时磁化过程中的低频内耗。测量温度为95K,试样处于零电阻状态,所用频率为0.5-5Hz.在内耗-场强H曲线上观测到内耗峰,它有如下特点:1)峰高随加场速率H的增大而增大,但随测量频率的增大而降低;2)峰值处的场强为4-6mT;3)当H由非零值突然改变至零时,磁化过程特征内耗消失;4)试样处于正常态时,上述特征内耗消失。认为超导体在磁化过程中的上述特征内耗是量子磁通的运动所引起来的。

English Abstract

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