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(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究

彭英才 何宇亮 李月霞 徐刚毅 刘 明

(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究

彭英才, 何宇亮, 李月霞, 徐刚毅, 刘 明
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-04-29
  • 修回日期:  2000-06-16
  • 刊出日期:  2000-12-20

(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究

  • 1. (1)河北大学电子信息工程学院,保定 071002;中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京 100083; (2)南京大学物理系,南京 210093; (3)中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京 100083; (4)中国科学院上海冶金研究所,上海 200050; (5)中国科学院微电子中心,北京 100029

摘要: 采用常规等离子体增强化学气相沉积工艺,以高H2稀释的SiH4作为反应气体源和PH3作为磷原子的掺杂剂,在p型(100)单晶硅((p)c-Si)衬底上, 成功地生长了施主掺杂型纳米硅膜((n)nc-Si:H),进而制备了(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结,并在230—420K温度范围内实验研究了该异质结的I-V特性.结果表明,(n)nc-Si:H/(p)c- Si异质结为一典型的突变异质结构,具有良好的温度稳定性和整流特性.正向偏压下

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