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Bi2Ti2O7/Si薄膜的制备及C-V特性研究

王弘 王栋 王民 陆卫 沈学础 王少伟

Bi2Ti2O7/Si薄膜的制备及C-V特性研究

王弘, 王栋, 王民, 陆卫, 沈学础, 王少伟
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-05-29
  • 修回日期:  2001-06-29
  • 刊出日期:  2001-12-20

Bi2Ti2O7/Si薄膜的制备及C-V特性研究

  • 1. (1)山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100; (2)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室上海200083; (3)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室上海200083,山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划项目(批准号:G199808140404)

    国家自然科学基金(批准号:10074088)资助的课题.

摘要: 采用化学溶液分解法(CSD)在Si衬底上制备了Bi2Ti2O7薄膜.X射线双晶衍射和原子力显微镜检测表明,所制备的薄膜主要为Bi2Ti2O7相的多晶材料.同时还研究了AuBi2Ti2O7/n-Si(100)结构的电容电压(C-V)特性,结果表明,在Bi2Ti2O

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