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InAs量子点在肖特基势垒二极管输运特性中的影响

李宏伟 王太宏

InAs量子点在肖特基势垒二极管输运特性中的影响

李宏伟, 王太宏
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-06-29
  • 修回日期:  2001-08-04
  • 刊出日期:  2001-06-05

InAs量子点在肖特基势垒二极管输运特性中的影响

  • 1. 中国科学院物理研究所,北京100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:69925410和19904015)资助的课题.

摘要: 在77到292K的范围内,系统研究了含InAs自组装量子点的金属-半导体-金属双肖特基势垒二极管的输运特性.随着温度上升,量子点的存储效应引起的电流回路逐渐减小.在测试温度范围内,通过量子点的共振隧穿过程在电流电压(I-V)曲线中造成台阶结构,且使电流回路随温度的上升急剧减小.根据肖特基势垒的反向I-V曲线,计算了势垒的反向饱和电流密度和平均理想因子.发现共振随穿效应使肖特基势垒在更大的程度上偏离了理想情况,而量子点的电子存储效应主要改变了肖特基势垒的有效势垒高度,从而影响了势垒的反向饱和电流密度

English Abstract

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