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有机单体3-phenyl-1-ureidonitrile薄膜的超高密度信息存储

宋延林 张昊旭 解思深 庞世瑾 高鸿钧 时东霞

有机单体3-phenyl-1-ureidonitrile薄膜的超高密度信息存储

宋延林, 张昊旭, 解思深, 庞世瑾, 高鸿钧, 时东霞
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-08-16
  • 修回日期:  2000-10-10
  • 刊出日期:  2001-02-20

有机单体3-phenyl-1-ureidonitrile薄膜的超高密度信息存储

  • 1. (1)中国科学院化学研究所分子科学中心,北京100080; (2)中国科学院物理研究所凝聚态物理中心真空物理开放实验室,北京100080; (3)中国科学院物理研究所凝聚态物理中心真空物理开放实验室,北京100080,东北大学机械工程与自动化学院,沈阳110006
    基金项目: 

    国家自然科学基金重大项目子课题(批准号:69890223)资助的课题.

摘要: 采用扫描隧道显微镜(STM)在3-phenyl-1-ureidonitrile(PUN)有机单体薄膜上进行了超高密度信息存储的研究.通过在STM针尖和高定向裂解石墨(HOPG)衬底之间施加一系列的电压脉冲,在薄膜上写入了一个稳定的5×6信息点阵,信息点的大小是0.8nm.电流电压(I-V)曲线表明,施加电压脉冲前后薄膜的导电性质发生了变化.信息点的写入机制可能是强电场作用下引发的PUN分子的局域聚合,从而导致薄膜由高电阻态向低电阻态转变.

English Abstract

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