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浮栅ROM器件x射线剂量增强效应实验研究

张义门 郭红霞 陈雨生 韩福斌 贺朝会 周辉

浮栅ROM器件x射线剂量增强效应实验研究

张义门, 郭红霞, 陈雨生, 韩福斌, 贺朝会, 周辉
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-01-02
  • 修回日期:  2002-02-27
  • 刊出日期:  2005-05-31

浮栅ROM器件x射线剂量增强效应实验研究

  • 1. (1)西安电子科技大学微电子所,西安710071; (2)西安电子科技大学微电子所,西安710071,西北核技术研究所,西安710024; (3)西北核技术研究所,西安710024

摘要: 给出了浮栅ROM器件在钴源和北京同步辐射装置(BSRF)3W1白光束线辐照的实验结果;比较了两种辐照的实验结果及其损伤异同性.通过实验在线测得位错误数随总剂量的变化,给出相同累积剂量时x射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.获得了浮栅ROM器件x射线剂量增强因子.这些结果对器件抗x射线辐射加固技术研究有重要价值

English Abstract

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