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浮栅ROM器件辐射效应机理分析

贺朝会 耿 斌 杨海亮 陈晓华 李国政 王燕萍

浮栅ROM器件辐射效应机理分析

贺朝会, 耿 斌, 杨海亮, 陈晓华, 李国政, 王燕萍
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-09-18
  • 修回日期:  2002-12-24
  • 刊出日期:  2003-09-20

浮栅ROM器件辐射效应机理分析

  • 1. 西北核技术研究所,西安 710613

摘要: 分析了浮栅ROM器件的辐射效应机理,合理地解释了实验中观察到的现象.指出辐射产生的电子空穴对在器件中形成的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷是导致存储单元及其外围电路出现错误的原因.浮栅ROM器件的中子、质子和60Co γ辐射效应都是总剂量效应 .

English Abstract

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