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脉冲磁场处理对碳纳米管掺杂MgB2线材临界电流密度的影响

陈荣华 朱明原 李 瑛 李文献 金红明 窦士学

脉冲磁场处理对碳纳米管掺杂MgB2线材临界电流密度的影响

陈荣华, 朱明原, 李 瑛, 李文献, 金红明, 窦士学
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  • 对碳纳米管(CNT)掺杂MgB2超导体磁场处理后的行为进行了研究. 结果表明,CNT掺杂MgB2超导体经5T脉冲磁场处理后临界电流密度Jc(H)在低磁场下提高了2—3倍,高场下提高一个数量级以上,扫描电镜结果显示CNT沿着处理磁场方向规则排列并且成为MgB2基体的形核中心和高效的磁通钉扎中心.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:50471100)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-01-19
  • 修回日期:  2006-03-23
  • 刊出日期:  2006-09-20

脉冲磁场处理对碳纳米管掺杂MgB2线材临界电流密度的影响

  • 1. (1)上海大学材料科学与工程学院,上海 200072; (2)伍伦贡大学电子材料与超导研究所,伍伦贡 2522,澳大利亚
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50471100)资助的课题.

摘要: 对碳纳米管(CNT)掺杂MgB2超导体磁场处理后的行为进行了研究. 结果表明,CNT掺杂MgB2超导体经5T脉冲磁场处理后临界电流密度Jc(H)在低磁场下提高了2—3倍,高场下提高一个数量级以上,扫描电镜结果显示CNT沿着处理磁场方向规则排列并且成为MgB2基体的形核中心和高效的磁通钉扎中心.

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