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用于脉冲γ强度测量的φ60,1000μm PIN探测器

欧阳晓平 李真富 霍裕昆 宋献才

用于脉冲γ强度测量的φ60,1000μm PIN探测器

欧阳晓平, 李真富, 霍裕昆, 宋献才
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  • 采用电阻率为10000—20000 Ω·cm的高阻单晶硅材料,研制成功灵敏区尺寸为φ60 mm,耗尽层厚度~1000 μm的大面积厚PIN半导体探测器.设计了该类探测器厚度测量专用的反冲质子测量系统,对探测器的时间响应、γ灵敏度、漏电流、γ/n分辨等物理参数进行了测量和分析,结果表明,这类探测器可满足低强度裂变n/γ混合场中脉冲γ强度测量的需要.
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-09-12
  • 修回日期:  2006-08-08
  • 刊出日期:  2007-07-11

用于脉冲γ强度测量的φ60,1000μm PIN探测器

  • 1. (1)复旦大学现代物理研究所,上海 200433; (2)清华大学工程物理系,北京 100084;西北核技术研究所,西安 710024; (3)西北核技术研究所,西安 710024; (4)中国工程物理研究院电子学研究所,绵阳 621900

摘要: 采用电阻率为10000—20000 Ω·cm的高阻单晶硅材料,研制成功灵敏区尺寸为φ60 mm,耗尽层厚度~1000 μm的大面积厚PIN半导体探测器.设计了该类探测器厚度测量专用的反冲质子测量系统,对探测器的时间响应、γ灵敏度、漏电流、γ/n分辨等物理参数进行了测量和分析,结果表明,这类探测器可满足低强度裂变n/γ混合场中脉冲γ强度测量的需要.

English Abstract

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