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SIMOX SOI埋氧注氮工艺对埋氧中固定正电荷密度的影响

郑中山 张恩霞 刘忠立 张正选 李 宁 李国花

SIMOX SOI埋氧注氮工艺对埋氧中固定正电荷密度的影响

郑中山, 张恩霞, 刘忠立, 张正选, 李 宁, 李国花
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  • 在SIMOX SOI材料的埋氧中注氮是为了增强该类材料的抗辐射能力.通过C-V研究表明,对于埋氧层为150 nm的SIMOX SOI材料来说,当在其埋氧中注入4×1015cm-2剂量的氮后,与未注氮埋氧相比,注氮埋氧中的固定正电荷密度显著增加了;而对于埋氧层为375nm的SIMOX SOI材料来说,当注氮剂量分别为2×1015cm-2和3×1015cm-2
    • 基金项目: 济南大学博士基金资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-12-11
  • 修回日期:  2007-01-07
  • 刊出日期:  2007-09-20

SIMOX SOI埋氧注氮工艺对埋氧中固定正电荷密度的影响

  • 1. (1)济南大学物理系,济南 250022;中国科学院半导体研究所,北京 100083; (2)中国科学院半导体研究所,北京 100083; (3)中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050
    基金项目: 

    济南大学博士基金资助的课题.

摘要: 在SIMOX SOI材料的埋氧中注氮是为了增强该类材料的抗辐射能力.通过C-V研究表明,对于埋氧层为150 nm的SIMOX SOI材料来说,当在其埋氧中注入4×1015cm-2剂量的氮后,与未注氮埋氧相比,注氮埋氧中的固定正电荷密度显著增加了;而对于埋氧层为375nm的SIMOX SOI材料来说,当注氮剂量分别为2×1015cm-2和3×1015cm-2

English Abstract

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