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新型光存储材料Sr2SnO4: Tb3+, Li+ 的合成及其红外上转换光激励发光性能的研究

秦青松 马新龙 邵宇 杨星瑜 盛鸿飞 杨靖忠 尹瑶 张加驰

新型光存储材料Sr2SnO4: Tb3+, Li+ 的合成及其红外上转换光激励发光性能的研究

秦青松, 马新龙, 邵宇, 杨星瑜, 盛鸿飞, 杨靖忠, 尹瑶, 张加驰
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  • 采用高温固相法获得了一种只具有 微弱余辉的新型电子俘获型光存储材料Sr2SnO4:Tb3 +, Li +. 发光性能研究结果表明: 该材料对980 nm的红外激光具有很好的上转换光激励信息读出响应, 同时292 nm紫外光为其最佳信息写入光源. 光存储性能研究结果表明: 该材料的浅陷阱较少, 因此其余辉发光很弱, 不到500 s; 另一方面, 该材料中存在大量的深蓄能陷阱. 因此, Sr2SnO4: Tb3 +, Li+是一种具有较好实际应用价值的新型电子俘获型光存储材料. 此外, 还讨论了Sr2SnO4: Tb3 +, Li+的光存储发光机理.
    • 基金项目: 国家自然科学青年基金(批准号: 10904057), 国家大学生创新性实验计划( 批准号: 101073005) 和中央高校科研业务费(批准号: Lzjbky-2011-125) 资助的课题.
    [1]

    Johnson E J, Kafalas J, Dyes W A 1982 Appl. Phys. Lett. 40 993

    [2]

    Cho Y, Kim D S, Choe B, Lim H, Kim D 1997 Phys. Rev. B 56 R4375

    [3]

    Zhang Y, Wang B, Liu X, Xiao M 2010 J. Appl. Phys. 107 103502

    [4]

    Gong X, Chen W J 1998 Appl. Phys. Lett. 73 2875

    [5]

    Yamashita S A,Ogawa N 1989 Phys.Status. Solidi B 118 89

    [6]

    Matsuzawa T, Aoki Y, Takeuchi N, Maruyama Y 1996 J. Electrochem. Soc. 143 2670

    [7]

    Kang C, Liu R, Chang J, Lee B 2003 Chem. Mater. 15 3966

    [8]

    Lei B, Li B, Zhang H, Li W 2007 Opt. Mater. 29 1491

    [9]

    Wang J X, Xie S S, Yuan H J, Yan X Q, Liu D F, Gao Y, Zhou Z P, Song L, Liu L F, Zhao X W, Dou X Y, Zhou W Y, Wang G 2004 Solid State Commun. 131 435

    [10]

    Wang J X, Xie S S, Gao Y, Yan X Q, Liu D F, Yuan H J, Zhou Z P, Song L, Liu L F, Zhou W Y, Wang G 2004 J. Cryst. Growth. 267 177

    [11]

    Zhang J C, Yu M H, Qin Q S 2010 J. Appl. Phys. 108 123518

    [12]

    Zhang J C, Wang Y H, Zhang Z Y, Xie P, Li H H, Jiang Y P 2008 Chin. Lett. 25 1453

    [13]

    Liao J S, Liu B, Lai H S 2009 J.Lumin. 129 668

    [14]

    Yu M, Lin J, Fu J, Zhang H J, Han Y C 2003 J.Mater.Chem. 13 1413

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    Johnson E J, Kafalas J, Dyes W A 1982 Appl. Phys. Lett. 40 993

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    Zhang Y, Wang B, Liu X, Xiao M 2010 J. Appl. Phys. 107 103502

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    Matsuzawa T, Aoki Y, Takeuchi N, Maruyama Y 1996 J. Electrochem. Soc. 143 2670

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    Kang C, Liu R, Chang J, Lee B 2003 Chem. Mater. 15 3966

    [8]

    Lei B, Li B, Zhang H, Li W 2007 Opt. Mater. 29 1491

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    Wang J X, Xie S S, Yuan H J, Yan X Q, Liu D F, Gao Y, Zhou Z P, Song L, Liu L F, Zhao X W, Dou X Y, Zhou W Y, Wang G 2004 Solid State Commun. 131 435

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    Wang J X, Xie S S, Gao Y, Yan X Q, Liu D F, Yuan H J, Zhou Z P, Song L, Liu L F, Zhou W Y, Wang G 2004 J. Cryst. Growth. 267 177

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    Zhang J C, Wang Y H, Zhang Z Y, Xie P, Li H H, Jiang Y P 2008 Chin. Lett. 25 1453

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    Liao J S, Liu B, Lai H S 2009 J.Lumin. 129 668

    [14]

    Yu M, Lin J, Fu J, Zhang H J, Han Y C 2003 J.Mater.Chem. 13 1413

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出版历程
  • 收稿日期:  2011-06-15
  • 修回日期:  2012-05-10
  • 刊出日期:  2012-05-05

新型光存储材料Sr2SnO4: Tb3+, Li+ 的合成及其红外上转换光激励发光性能的研究

  • 1. 兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室, 兰州 730000
    基金项目: 

    国家自然科学青年基金(批准号: 10904057), 国家大学生创新性实验计划( 批准号: 101073005) 和中央高校科研业务费(批准号: Lzjbky-2011-125) 资助的课题.

摘要: 采用高温固相法获得了一种只具有 微弱余辉的新型电子俘获型光存储材料Sr2SnO4:Tb3 +, Li +. 发光性能研究结果表明: 该材料对980 nm的红外激光具有很好的上转换光激励信息读出响应, 同时292 nm紫外光为其最佳信息写入光源. 光存储性能研究结果表明: 该材料的浅陷阱较少, 因此其余辉发光很弱, 不到500 s; 另一方面, 该材料中存在大量的深蓄能陷阱. 因此, Sr2SnO4: Tb3 +, Li+是一种具有较好实际应用价值的新型电子俘获型光存储材料. 此外, 还讨论了Sr2SnO4: Tb3 +, Li+的光存储发光机理.

English Abstract

参考文献 (14)

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