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He,Au离子辐照AuCu3致元素表面偏析

法涛 陈田祥 韩录会 莫川

He,Au离子辐照AuCu3致元素表面偏析

法涛, 陈田祥, 韩录会, 莫川
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  • 采用磁控溅射方法在单晶硅(111)衬底上制备了AuCu3薄膜, 用2 MeV He离子和1 MeV Au离子对薄膜进行辐照, 用卢瑟福背散射对He, Au离子辐照前后AuCu3薄膜近表面的成分变化进行了分析, 对不同离子辐照导致的表面元素偏析行为进行了研究. 结果表明: 当2 MeV He离子辐照时, 随着辐照剂量增大, 观察到样品近表面Au元素偏析的趋势; 当1 MeV Au离子辐照时, 随着辐照剂量增大, 观察到样品近表面Cu元素偏析的趋势, 与He离子辐照相反. 通过对He, Au离子在样品中产生的靶原子空位及其分布分析, 发现靶原子空位浓度分布的梯度是导致两种不同表面元素偏析趋势的原因, 空位扩散是其中的主要机理.
      通信作者: 法涛, tao_fa@qq.com
    • 基金项目: 国家自然科学基金青年科学基金(批准号: 11205135)、中国工程物理研究院科学发展基金(批准号: 2012B0301045)和国家高技术研究发展计划(批准号: 2013AA8041073)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-09-22
  • 修回日期:  2015-11-14
  • 刊出日期:  2016-02-05

He,Au离子辐照AuCu3致元素表面偏析

  • 1. 中国工程物理研究院材料研究所, 绵阳 621900;
  • 2. 表面物理与化学重点实验室, 绵阳 621900;
  • 3. 中国科学院高能物理研究所, 北京 100049
  • 通信作者: 法涛, tao_fa@qq.com
    基金项目: 

    国家自然科学基金青年科学基金(批准号: 11205135)、中国工程物理研究院科学发展基金(批准号: 2012B0301045)和国家高技术研究发展计划(批准号: 2013AA8041073)资助的课题.

摘要: 采用磁控溅射方法在单晶硅(111)衬底上制备了AuCu3薄膜, 用2 MeV He离子和1 MeV Au离子对薄膜进行辐照, 用卢瑟福背散射对He, Au离子辐照前后AuCu3薄膜近表面的成分变化进行了分析, 对不同离子辐照导致的表面元素偏析行为进行了研究. 结果表明: 当2 MeV He离子辐照时, 随着辐照剂量增大, 观察到样品近表面Au元素偏析的趋势; 当1 MeV Au离子辐照时, 随着辐照剂量增大, 观察到样品近表面Cu元素偏析的趋势, 与He离子辐照相反. 通过对He, Au离子在样品中产生的靶原子空位及其分布分析, 发现靶原子空位浓度分布的梯度是导致两种不同表面元素偏析趋势的原因, 空位扩散是其中的主要机理.

English Abstract

参考文献 (34)

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