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基于六角氮化硼二维薄膜的忆阻器

吴全潭 时拓 赵晓龙 张续猛 伍法才 曹荣荣 龙世兵 吕杭炳 刘琦 刘明

基于六角氮化硼二维薄膜的忆阻器

吴全潭, 时拓, 赵晓龙, 张续猛, 伍法才, 曹荣荣, 龙世兵, 吕杭炳, 刘琦, 刘明
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  • 报道了一种基于多层六角氮化硼(h-BN)二维薄膜的忆阻器件.该器件不需要电预处理过程,且具有自限流的双极性阻变行为;具有较好的抗疲劳性和较长的数据保持时间.该器件在脉冲编程条件下具有模拟转变特性,即在连续的电压脉冲下器件的电阻态能被连续地调控,使得该器件能够模仿神经网络系统中的神经突触权重变化行为.综上所述,基于多层h-BN的忆阻器具有应用在非易失性存储和神经计算中的潜力.
      通信作者: 刘琦, liuqi@ime.ac.cn
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:61521064,61422407,61474136,61334007,61404164,61574166,61522408)、国家重点研发计划(批准号:2017YFB0405603,2016YFA0201803)和中国科学院战略性先导科技专项(B类)(批准号:XDPB0603)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2017-08-26
  • 修回日期:  2017-09-13
  • 刊出日期:  2017-11-05

基于六角氮化硼二维薄膜的忆阻器

  • 1. 中国科学院微电子研究所, 微电子器件与集成技术重点实验室, 北京 100029;
  • 2. 中国科学院大学, 北京 100049
  • 通信作者: 刘琦, liuqi@ime.ac.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:61521064,61422407,61474136,61334007,61404164,61574166,61522408)、国家重点研发计划(批准号:2017YFB0405603,2016YFA0201803)和中国科学院战略性先导科技专项(B类)(批准号:XDPB0603)资助的课题.

摘要: 报道了一种基于多层六角氮化硼(h-BN)二维薄膜的忆阻器件.该器件不需要电预处理过程,且具有自限流的双极性阻变行为;具有较好的抗疲劳性和较长的数据保持时间.该器件在脉冲编程条件下具有模拟转变特性,即在连续的电压脉冲下器件的电阻态能被连续地调控,使得该器件能够模仿神经网络系统中的神经突触权重变化行为.综上所述,基于多层h-BN的忆阻器具有应用在非易失性存储和神经计算中的潜力.

English Abstract

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