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252Cf自发裂变中子发射率符合测量的回归分析

李永明 王亮 陈想林 阮念寿 赵德山

252Cf自发裂变中子发射率符合测量的回归分析

李永明, 王亮, 陈想林, 阮念寿, 赵德山
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出版历程
  • 收稿日期:  2018-05-31
  • 修回日期:  2018-10-15

252Cf自发裂变中子发射率符合测量的回归分析

  • 中国工程物理研究院材料研究所, 绵阳 621907
    基金项目: 

    中国工程物理研究院材料研究所特聘基金(批准号:TP201302-6)资助的课题.

摘要: 252Cf同位素源具有标准的自发裂变中子能谱,但由于其半衰期较短,应用中常需要对源强进行标定修正.随着源年龄增加,来自源中250Cf和248Cm自发裂变的影响愈加凸显,不能简单按252Cf的衰变规律计算源中子发射率,而通过锰浴活化的间接测量方法周期较长,且在源强低于104 n/s时误差较大.最近,基于中子多重性计数的源强绝对测量算法已得到验证.本文进一步从点模型假设的测量方程出发,在将符合计数率与总中子计数率关联的基础上,分别对符合计数率随源位置、符合门宽的变化关系进行回归分析,提取变化过程的特征系数,建立了两种避规效率变化的252Cf中子发射率测量方法,并基于JCC-51型中子符合测量装置开展实验验证.结果表明:两种回归分析方法的测量值均与标称值的修正结果在2%的偏差范围内一致;反推求得装置中轴线上的探测效率也与基于MCNPX程序的蒙特卡罗模拟计算值相符.研究结果可为活度信息不明的252Cf源强标定及符合测量装置的效率刻度提供便携准确的实验方法.

English Abstract

参考文献 (16)

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