Vol. 30, No. 10 (1981)
1981年05月20日
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1981, 30 (10): 1287-1294.
doi: 10.7498/aps.30.1287
摘要 +
为了进一步发展测定离子注入损伤层的椭圆偏光法,我们测量了离子注入硅在4000—7000?波长范围内的椭圆偏振光谱,并由此得到它的色散关系。注入条件为150keV,1015cm-2和1016cm-2的砷离子注入。由于在硅样品表面处形成无定形层,我们用单层模型,从(ψ,Δ)-λ数据计算出(n,k)-λ关系,并可定出损伤层厚度。在～4800?处,出现折射率n的谱峰,峰值约4.9。本文还比较了离子注入损伤层、溅射无定形硅膜层、蒸发无定形硅膜层和单晶硅的实验结果。
1981, 30 (10): 1295-1306.
doi: 10.7498/aps.30.1295
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本文报道了用X射线光电子能谱的角度效应研究硅-二氧化硅界面过渡区的结果。样品为(111)取向的硅单晶片上低温(700℃)氧化生成的超薄氧化膜,膜的厚度不大于50?。氧化膜与单晶衬底中Si2p光电子谱峰之间的化学位移(δ)和强度比(I0x/Isi)随光电子发射角(θ)的变化明显地偏离理想界面所预期的结果,表明在硅-二氧化硅的界面处存在化学比为SiOx(0yO4-y(0≤y≤4)型四面体。比较实验曲线与随机成键模型的计算结果,估计出过渡区的宽度不大于20?,小于Si2p光电子在二氧化硅中的平均逃逸深度。对改变氧化时间结合Ar+刻蚀制得的氧化膜厚度不同的样品所作的测量,得到与角度实验相一致的结果。
1981, 30 (10): 1307-1317.
doi: 10.7498/aps.30.1307
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本文指出,只当u=ω/(kxve)≤2—2.5时,波驱动的电流以共振电子电流为主,波的耗散机制也主要是共振阻尼效应;而当u≥3时,非共振电子电流一般将超过共振电子电流,碰撞耗散也将大于共振耗散。波驱动电流所需功率较高,比相应欧姆功率大得多。这对反应器的设计带来困难,一般说来反应器中选取u≤2.5的共振电子电流较为合适。波驱动电流时将出现等离子体旋转,除环向旋转外,还将引起较大的角向旋转,后者伴有较大的径向电场。
1981, 30 (10): 1318-1324.
doi: 10.7498/aps.30.1318
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在电子和离子光学理论(特别是象差理论)中,广泛地应用了矩阵的运算方法。本文讨论了旋转对称电子光学系统与重叠场(环形电场与非均匀磁场的叠加)离子光学系统中存在初级象差下的变换矩阵,证明了这些变换矩阵的行列式数值恒为1.这个普遍结论是刘维定理的具体应用。这对于电子和离子光学象差理论及计算机辅助设计具有一定意义。
1981, 30 (10): 1325-1339.
doi: 10.7498/aps.30.1325
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本文在文献[8]的基础上,提出了一个平面屏系统中标量光波传播的矩阵理论。由于采用的是柱坐标系,所以它主要适宜于具有理想轴对称性的系统。它的主要优点,是较便于处理上述系统中某些用已有理论实际上较难处理的光传播问题。本文中未考虑散射屏。这个理论的适用范围是:系统中所有平面屏都垂直光传播轴;可对每一屏的衍射应用本文的衍射公式和近似条件;在反射、吸收和增益屏上的入射光锥角较小等。作为应用的例子,本文得出和讨论了无源光学谐振腔中振荡模的矩阵方程。把它和已有的Fox和Li的积分方程作了比较,表明了矩阵方程具有某些重要的实际优点。
1981, 30 (10): 1340-1350.
doi: 10.7498/aps.30.1340
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在离散取样情形下,证明了利用单个全息透镜所组成的光学系统能够实现任意给定的线性变换;给出了为实现给定变换而设计全息透镜振幅和相位分布的方法;并以三种不同序的八维Walsh变换为例,得到了实现这些变换的全息透镜的振幅和相位分布。
1981, 30 (10): 1351-1360.
doi: 10.7498/aps.30.1351
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本文提出了衍射或荧光分析用的X射线管原级X射线谱强度分布的定量测定方法。在带有正比、闪烁计数管的衍射仪上用LiF分光晶体进行展谱测定。实验测定强度经校正计算还原为X射线管窗口处的强度。对荧光X射线管还应测定几个射线束方向的原级谱加以平均求得有效原级谱。分析了原级X射线谱数据的误差及其对基本参数法等实际应用的影响。
1981, 30 (10): 1361-1368.
doi: 10.7498/aps.30.1361
摘要 +
本文详尽地讨论了从X射线衍射强度测定均匀的且各向同性的晶体的德拜特征温度的方法。本方法指明:如将所有的计算强度对观察强度之比的自然对数In(Icalc/Iobs)对sin2θ/λ2标绘,则应该得到一条直线,这条直线的斜率为2B。在德拜的比热理论中,B可表示为(6h2T/MkΘD2){φ(x)+(x/4)},其中x=ΘD/T。如使G=BMkT/6h2,则φ(x)+x/4=Gx2,既然已求得了B值,则这个方程式中的G是一个可量度的数。求解这个方程式可用图解法来进行。使y1=Gx2,而y2=φ(x)+x/4,则从这两个方程式的标绘可以得到两条曲线,这两条曲线的交点就是所要测定的x值,由x值可确定在测定温度时的特征温度。必须指出,由于ΘD本身是温度的一个函数,本方法提供了一个在所需要的温度测定德拜特征温度的可能性。
1981, 30 (10): 1369-1375.
doi: 10.7498/aps.30.1369
摘要 +
脲嘧啶3′,5′-环核苷酸(c-UMP)结晶为无色透明晶体,分子式为C9,H11O8N2P,属单斜晶系,空间群C21P2。晶胞参数α=10.767(6)?,b=7.152(4)?,c=1O.414(5)?,β=112.77(31)°,晶胞内分子数z=2。用PW-1100四圆衍射仪收集衍射强度数据,独立衍射点为1658个。应用Patterson法、直接法和Fourier综合法测定c-UMP分子结构。晶胞中呈现部分无序分布的溶剂分子。以对角矩阵最小二乘法修正结构参数,R=0.084。
1981, 30 (10): 1376-1382.
doi: 10.7498/aps.30.1376
摘要 +
基于对复变函数Fα(y)=∫0(ωph-α)(ω2y)/(ω2y+1)g(ω)dω解析性质的分析,本文认为:在决定的收敛半径以外,吴杭生等提出的Tc级数解的部分和作为近似Tc公式仍可用于1/λ的适当范围。但它可能达到的精度依赖于谱形,一般来说是有限的。
研究简报
1981, 30 (10): 1383-1387.
doi: 10.7498/aps.30.1383
摘要 +
用X射线衍射及差热分析法研究了两系统的相平衡。确定了RbH2(IO3)3的结构(三斜晶系,点阵常数:a=8.338?,b=8.244?,c=8.254?,α=60.66°,β=85.58°,γ=66.01°,z=2)。密度Dm=4.61g/cm3。CsIO3-HIO3系中有两个化合物:CsH(IO3)2(为质子导体)和3CsIO3·17HIO2。
1981, 30 (10): 1388-1392.
doi: 10.7498/aps.30.1388
摘要 +
本文在124—480K温度范围内,研究了Lisicon(锗酸锌锂)晶体不同成分不同取向7LiNMR线宽依赖于温度的关系,发现了Li+离子运动状态具有转变点温度为273K,350K(多晶320K),400K;观察到该晶体电四极效应有着与一般晶体不同的行为,并进行了讨论。
1981, 30 (10): 1393-1399.
doi: 10.7498/aps.30.1393
摘要 +
氯代通关素分子式为C23H33O5Cl。结晶属单斜晶系,空间群为C22P21,晶胞参数a=15.782(7)?,b=8.454(4)?,c=8.074(4)?,β=101.08(21)°,晶胞内分子数z=2。用PW-1100四圆衍射仪收集衍射强度数据,独立衍射点为2097个。用直接法(MULTAN-78)测定晶体结构,结构参数的修正采用准对角矩阵最小二乘法,R为0.075。由差值Fourier图获得氢原子位置,两个甲基上的氢原子则呈现位置无序性质。氯代通关素分子保持了通关素分子的构象特征,B环与C环,C环与D环明显地呈现顺式联结。
1981, 30 (10): 1400-1405.
doi: 10.7498/aps.30.1400
摘要 +
本文研究了GaAs(110)弛豫表面的紧束缚计算,采用了有饱和的slab(薄片)模型,来模拟半无限大的晶体。通常的slab模型有两个表面,本模型与其不同之处在于用类As和类Ga原子来饱和伸向体内的悬挂键,使之只保留一个表面,从而大大降低久期矩阵的阶数。从计算的表面定域态密度表明,采用五层的有饱和的Slab模型,就可以得到较好的结果。
1981, 30 (10): 1406-1409.
doi: 10.7498/aps.30.1406
摘要 +
在本文中。我们得到了Yang-Mills规范场的全部同步球对称静态自对偶解。由此解我们进一步导出了磁荷连续面分布的结论。
1981, 30 (10): 1410-1414.
doi: 10.7498/aps.30.1410
摘要 +
本文分析了文献[1]对阻尼振子所提出的直接的量子化方案,其中引进了对易关系xp-px=ihe(-(C/M)t)。指出这种方法在推广到C显含时间的情况时将发生困难。为使C显含时间的情况也能统一处理,必须保留海森堡对易关系xp-px=ih,同时假定对振子的作用力中含有与x不对易的部分fR,并满足对xfR-fRx=ih(C/M)。还具体分析了电子振子。
