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Vol. 44, No. 8 (1995)

1995年04月20日
总论
总论
基本粒子物理学与场
基本粒子物理学与场
唯象论的经典领域
唯象论的经典领域
流体、等离子体和放电
流体、等离子体和放电
凝聚物质:结构、热学和力学性质
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凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
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物理学交叉学科及有关科学技术领域
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领域
总论
代数动力学与SU(2)线性非自治量子系统
王顺金, 左维
1995, 44 (8): 1177-1183. doi: 10.7498/aps.44.1177
摘要 +
利用代数动力学方法得到了SU(2)线性非自治量子系统的精确及其Cartan不变算子,并应用得到的解计算了时间有关的磁场中中微子的反转概率以及束流动力学中的粒子自旋极化问题,另外还讨论了周期系统的非绝热Berry相因子.
SU(1,1)线性非自治量子系统的代数动力学求解
A.Weiguny, 王顺金, 李福利, 左维
1995, 44 (8): 1184-1191. doi: 10.7498/aps.44.1184
摘要 +
利用代数动力学方法得到了SU(1,1)线性非自治量子系统的精确解及其Cartan不变算子,并建立和澄清了量子解与经典解之间的对应关系.另外还讨论了周期系统的非绝热和绝热Berry相因子.
基本粒子物理学与场
液晶近晶C相双轴特性的统计理论
钱祥忠
1995, 44 (8): 1192-1202. doi: 10.7498/aps.44.1192
摘要 +
采用格胞模型,定义了分子取向序参量、双轴序参量、质心位置序参量以及取向与质心位置耦合序参量.由自由能极小求得指向矢倾斜角与双轴序参量间的关系.对典型Sc相液晶物质TBBA,TBSA和NOBA的双轴序参量随温度的变化以及取向序参量和倾斜角对双轴序参量的影响作了数值计算,并与实验结果进行比较.表明这种双轴特性主要产生于Sc相的指向矢倾斜结构和分子取向的有序性.
Bose-Einstein关联与Q-vKv(Q)分布
戴启润, 赵树松
1995, 44 (8): 1203-1209. doi: 10.7498/aps.44.1203
摘要 +
Bose-Einstein(B-E)关联是研究强子发射源的最有力工具之一,根据非微扰理论提出一种源分布——Q~(?)K_(?),(Q)分布.据此计算单举的P_(?),P_(?),N,Y分布及其相互关联——Seagulteffect,与实验符合得较好.本文的重点是由Q~(?)K_(?)(Q)分布计算两粒子的B-E关联,拟合的曲线与实验数据符合得很好,尤其是在低Q区,这是Q~(?)K_(?)(Q)分布比Gauss源及K-P源分布优越之处.
唯象论的经典领域
双光子Jaynes-Cummings模型中的Schrdinger cat态
刘惠恩
1995, 44 (8): 1210-1216. doi: 10.7498/aps.44.1210
摘要 +
计算了双光子Jaynes-Cummings模型场熵的演化,结合光子数统计分布和位相分布论证了双光子Jaynes-Cummings模型在强场情况和某些特定时刻存在“Schrdinger cat”态的迭加态.
掺杂铌酸锂双相位共轭镜光学谐振腔的最佳抽运比
李铭华, 金婵, 徐玉恒, 吴仲康, 刘劲松, 梁昌洪, 安毓英
1995, 44 (8): 1217-1221. doi: 10.7498/aps.44.1217
摘要 +
在强抽运条件下建立了光折变双相位共轭镜光学谐振腔的稳态强度公式,研究了输出功率同两个相位共轭镜的抽运功率之比的关系.调节该比值可使光腔两端各自的和总的输出功率分别达到最大.用Ce:LiNbO_(?),单晶和He-Ne激光构成了光折变双相位共轭镜光学谐振腔.实验值与理论值基本符合.
多通式飞秒激光放大系统的理论研究
章若冰, 赵应桥, 王清月
1995, 44 (8): 1222-1229. doi: 10.7498/aps.44.1222
摘要 +
建立了多通式飞秒激光放大系统动力学过程的物理模型,该模型对其动力学过程中能量积累和能量抽取两个阶段的物理过程进行了理论描述,并结合具体的实验进行了数值模拟,获得了多通式飞秒激光放大过程中飞秒光脉冲能量、波形与各个参数之间的关系.与实验结果进行了比较,取得了较为一致的结果.
一种易碎玻璃转变温度的研究
徐济安, MurliH.Manghnani, 谢鸿森, 王汝菊, 李凤英
1995, 44 (8): 1230-1236. doi: 10.7498/aps.44.1230
摘要 +
利用超声相比较和相位探测法,测量了一种易碎玻璃纵波和横波声速从室温到73℃范围内的变化,由此得到弹性模量随温度的变化规律.发现声速和弹性模量随温度变化曲线的斜率在54℃附近有明显变化,存在一个转变温度点,测是结果与布里渊散射在此温区相应的数据符合.研究表明,这个转变温度是易碎玻璃完全熔化前的玻璃化转变温度,比其它玻璃低得多.
流体、等离子体和放电
等离子体化学气相沉积的实验与理论研究
魏合林, 刘祖黎
1995, 44 (8): 1237-1243. doi: 10.7498/aps.44.1237
摘要 +
对等离子体化学气相沉积(PCVD)过程进行了实验和理论研究,实验结果表明:实验条件和等离子体参数在PCVD过程中相互关联,等离子体参数直接影响PCVD过程,在此实验结果的基础上建立了一个二元动力学模型,假设PCVD过程是由等离子体参数决定,考虑了活性粒子与反应单体的扩散与对流.计算中使用了实际测量的电子参数.理论与实验结果基本符合.
凝聚物质:结构、热学和力学性质
铁超微粒聚集体的分形结构
梁一平, 邓昭镜, 李建, 王跃
1995, 44 (8): 1244-1248. doi: 10.7498/aps.44.1244
摘要 +
由铁超微粒组成的聚集集团的形态结构具有明显的分形体特征和规律性.随着集团聚集密度的增加,呈现出扩展态、补偿态和塌缩态,而且自相似性逐步减弱.
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
GaAsP混晶中的DX中心
张元常, 黄启圣, 康俊勇, 吴正云, 余辛
1995, 44 (8): 1256-1262. doi: 10.7498/aps.44.1256
摘要 +
用高分辨率深能级瞬态谱、光照深能级瞬态谱及光电容谱方法,对不同组份的掺Te的GaAsP混晶进行了实验研究,结果表明,所有被测样品中同时存在三种施主深能级,其热发射激活能各为0.18,0.28,0.38eV.通过仔细测量与分析它们的电学和光学性质后,认为它们是由Te施主杂质形成的三种类DX中心,可能对应于Te运动会替位施主的不同原子构形.
Pb0.50Sr0.75Y0.70Ca0.25Cu1.70Oy单晶的磁阻研究
邓明, 种燕, 阮可育, 金华, 陈兆甲, 曹烈兆, 王楠林
1995, 44 (8): 1263-1267. doi: 10.7498/aps.44.1263
摘要 +
对低掺杂区非超导的Pb_(6.56)Sr_(?)Y_(?)Ca_(?)Cu_(?)O_y单晶样品进行了电阻和磁阻的测量,发现在低温下电阻温度关系遵从变程跳跃传导的R=R_(?)exp[(T_(?)/T)~(?)]的变化规律,这说明该样品处于强局域化区域.在低温下的磁阻为负并有明显的各向异性,这表明这类体系的磁阻主要来自于轨道效应的贡献,并且可能受到自旋-轨道散射的影响.
YBa2Cu3O7-δ体系在B∥I∥c下磁场引起的电阻耗散
袁松柳
1995, 44 (8): 1268-1273. doi: 10.7498/aps.44.1268
摘要 +
基于最近提出的平面外电阻耗散模型,计算了YBa_2Cu_3O_(7-8),体系在平行于c轴的磁场下不同温度时的平面外磁阻率ρ-B和不同磁场时的平面外电阻转变ρ-T.该模型预言了文献上普遍报道的该体系在外加磁场下的Lorentz力无关的耗散行为.为确信这一点,作为例子,特别将由该模型预言的理论结果与在YBa_2Cu_5O(7-8)体系中在B//I//c下测得的电阻转变曲线进行了定量地比较.
银包套Bi(2223)带材临界电流密度的低温强磁场特性
奚正平, 周廉, 韩谷昌, 韩汉民, 王智河, 王顺喜, 刘小宁, 刘智民
1995, 44 (8): 1274-1278. doi: 10.7498/aps.44.1274
摘要 +
较详细地研究了银包套Bi(2223)带材在低温强磁场下的传输临界电流密度(J_c)特性,实验结果表明,Bi(2223)带材在一定的磁场下J_c随温度的变化有两个不同的区域,在低于某一温度T_(cm)(H)后,J_c(T)由零开始按J_c∞(I-T/T_cm)~(?)指数形式增加而温度远低于T_(cm)后,J_c(T)则随温度的降低线性增加,J_c(T)的线性关系可由传统磁通蠕动理论理解,而在T_(cm)附近的J_c(T)指数变化机制仍不清楚,本文采用点阵熔化概念和磁场引起的颗粒超导电性对这一结果进行了很好
Cd对CaLaBaCu3Oy体系超导电性的淬灭作用
张小俊, 王劲松, 许祝安, 焦正宽, 张其瑞
1995, 44 (8): 1279-1285. doi: 10.7498/aps.44.1279
摘要 +
研究了Cd替代Ca对CaLaBaCu_5O_7体系超导电性的影响.电阻率测量结果表明,T_c随Cd含量x的增加单调下降,同时正常态电阻率随x增加而上升.在x=0-1范围内,体系经历超导-类半导体-绝缘体转变.Hall测量结果表明,CuO_2面内迁移空穴浓度p_(ab)随Cd含量增加而单调下降,这与Tc的变化相对应.样品的热重测量结果表明,氧含量对Ca_(1-2)Cd_5LaBaCu_5O_7,体系的正常态和超导态性质产生很大影响.Cd替代Ca导致Cu-O链上的氧空缺.随着Cd含量的增加,氧含量单调下降.C
Fe-Cu-Nb-Si—B纳米晶合金的有效磁各向异性随退火温度的变化
熊湘沅, 何开元
1995, 44 (8): 1286-1290. doi: 10.7498/aps.44.1286
摘要 +
研究了经不同退火温度处理的Fe(?)Cu_2Nb_3Si_(?)B,纳米晶合金的有效磁各向异性〈k〉的变化,得出该合金在T_a=480—550℃之间退火后的有效磁各向异性〈k〉比相应成份的α-Fe(Si)固溶体晶粒的磁晶各向异性K_1小一个数量级,但随T_a的开高有效磁各向异性〈k〉只稍有变大,为860—910J.m~(-1),而起始磁导率在T_a=550℃时达到最大值.这一软磁性能的改善主要是由合金的磁致伸缩系数λ_(?)的明显变小造成的,而与有效磁各向异性〈k〉的变化无关.
88Ni-Fe合金超细微粒的制备、磁性以及热分析
陆怀先, 鹿牧, 都有为, 王锦辉, 陈允鸿
1995, 44 (8): 1291-1295. doi: 10.7498/aps.44.1291
摘要 +
气相蒸发法制备的88at%Ni-Fe合金超细微粒,平均垃径为5一84nm,观察、分析了样品的形貌、结构、成分、磁性、表面吸附以及氧化等,结果表明,做粒晶体结构呈面心立方,晶格常数及成分均接近于块材,表面吸附一层氮气分子,微粒单畴临界尺寸约为37nm,由此算出有效各向异性常数为6.16×10~5erg·cm~(-3),远大于块材,发现样品的居里温度呈现一定分布,并与微粒的尺寸分布及其表面(界面)层有关.
BaF2微晶的γ辐照缺陷
杨炳忻, 侯碧辉, 陆肖璞, 施朝淑
1995, 44 (8): 1296-1301. doi: 10.7498/aps.44.1296
摘要 +
用电子自旋共振(ESR)方法研究BaF_2微晶和单晶研粉的γ射线辐照损伤及其恢复情况,发现V_k心点缺陷的ESR信号随升温变化不象H,F和M心那样是单调衰减的,γ射线辐照可能会激发F~-离子上的Frendkel激子,该激子受热湮没而产生新的V_k心,因而使V_k心的ESR信号随开温增强,V_t心的朗德因子g也随升温而变化.单晶研粉的辐照损伤在400℃完全恢复,微晶的在355℃完全恢复.
固体介质中电偶极子介电常数温度特性与能级密度分布关系
刘付德, 凌志远, 熊茂仁
1995, 44 (8): 1302-1309. doi: 10.7498/aps.44.1302
摘要 +
从电介质极化的基本方程出发,实现了直接从介电常数温度特性关系获得偶极子任意能级密度分布,该理论并不需要已知偶极子任何性质,均能实现分布计算.
MgO:Cr3+和MgO:V2+的能谱随温度移位的拟合计算
马东平, 黄小益
1995, 44 (8): 1310-1320. doi: 10.7498/aps.44.1310
摘要 +
全面计入电-声子耦合导致的热移位(其中包括~2T_1贡献的单声子项,Raman项,光学支项)与热膨胀导致的热移位,对MgO:Cr~(3+)与MgO:V~(1+)的R线热移位作了理论计算,结果与热移位、热膨胀系数,高压移位、声子谱与光谱、晶体密度、弹性常数与晶格常数等大量实验数据符合得很好.进而,将完全的d~3能量矩阵对角化,得到能谱与波函数,再通过电-声子相互作用矩阵元等一系列计算,从微观上算出单声子项的参量,结果与拟合实验得到的值符合得很好.结果表明:单声子项起主导作用(导致红移),而Raman项(导致
用射频溅射方法制备的多晶ZnO薄膜的光响应与其结构变化
D.E.Brode, 张德恒
1995, 44 (8): 1321-1327. doi: 10.7498/aps.44.1321
摘要 +
用射频溅射方法在较高氧压下沉积的多晶的ZnO薄膜,其光响应主要由两部分组成:第一部分来源于膜内晶粒界面所吸附氧原子的光脱附,该部分光响应可使膜的电导率增加两个数量级且响应速度较快;第二部分来源于薄膜表面所吸附氧原子的光脱附,此光响应可使膜的电导率增加4一5个数量级,但响应速度非常缓慢.两部分光响应都来自薄膜的结构变化,膜的结构变化与膜所处环境中气体的种类,压强以及膜的温度有关.
对称量子阱中极化子的有效质量和自陷能
赵国忠, 潘少华, 杨国桢
1995, 44 (8): 1335-1343. doi: 10.7498/aps.44.1335
摘要 +
采用变分微扰法,对量子阱中极化子的有效质量和自陷能进行了研究.考虑到阱对于电子波函数的量子限制效应和界面声子的影响,计算了各支声子与电子相互作用对自陷能的贡献,讨论了极化子的有效质量和自陷能随量子阱宽度的变化关系,进一步说明了量子阱的尺度效应和界面声子作用的重要性.
非破坏性研究半导体材料特性参数
沈(岂页)华, 陈仪明, 朱文章
1995, 44 (8): 1344-1352. doi: 10.7498/aps.44.1344
摘要 +
测量了元素和化合物半导体单晶材料的常温、低温下的表面光电压,推导了有关计算公式,计算得出材料的少子扩散长度、深能级和表面能级位置,禁带宽度和化合物组分;由双能级复合理论,研究了少子扩散长度与深能级的关系,计算了深能级浓度和参数;计算结果与其他方法的测量实验值基本一致.
物理学交叉学科及有关科学技术领域
CaAs(100)的(NH4)2Sx和P2S5/(NH4)2Sx表面钝化
陈维德, 金高龙, 崔玉德, 段俐宏, 高志强
1995, 44 (8): 1328-1334. doi: 10.7498/aps.44.1328
摘要 +
利用光致发光谱、X射线光电子谱和俄歇电子谱等技术研究了(NH_4)_2S_x和P_2S_5/(NH_4)_2S_5化学钝化GaAs(100)表面.结果表明,(NH_4)_2S_x中S钝化可以完全去除GaAs表面的氧化物.P_2S_5/(NH_4)_2S_x中P_2S_5对降低G_2A_5表面态密度,提高光致发光强度是有效的.钝化表面P氧化物存在对防止GaAs表面初期氧化起重要作用.