退火温度和退火气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2013, Vol. 62 Issue (20): 206801     doi:10.7498/aps.62.206801
凝聚物质:结构、力学和热学性质 当期目录| 过刊浏览| 高级检索     
退火温度和退火气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响
李晓静, 赵德刚, 何晓光, 吴亮亮, 李亮, 杨静, 乐伶聪, 陈平, 刘宗顺, 江德生
中国科学院半导体所, 集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083
Influence of different annealing temperature and atmosphere on the Ni/Au Ohmic contact to p-GaN
Li Xiao-Jing, Zhao De-Gang, He Xiao-Guang, Wu Liang-Liang, Li Liang, Yang Jing, Le Ling-Cong, Chen Ping, Liu Zong-Shun, Jiang De-Sheng
State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn