位移损伤剂量法评估空间GaAs/Ge太阳电池辐照损伤过程
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2011, Vol. 60 Issue (9): 098110
物理学交叉学科及有关科学技术领域 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
位移损伤剂量法评估空间GaAs/Ge太阳电池辐照损伤过程
吴宜勇1, 岳龙1, 肖景东1, 杨德庄1, 何世禹1, 蓝慕杰2, 胡建民3, 张忠卫4, 王训春4, 钱勇4, 陈鸣波4
(1)哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,哈尔滨 150001; (2)哈尔滨工业大学航天学院,哈尔滨 150001; (3)哈尔滨师范大学物理与电子工程学院,哈尔滨 150025; (4)上海空间电源研究所,上海 200233
Radiation damage of space GaAs/Ge solar cells evaluated by displacement damage dose
Lan Mu-Jie1, Wu Yi-Yong2, Yue Long2, Xiao Jing-Dong2, Yang De-Zhuang2, He Shi-Yu2, Hu Jian-Min3, Zhang Zhong-Wei4, Wang Xun-Chun4, Qian Yong4, Chen Ming-Bo4
(1)Harbin Institute of Technology,School of Astronautics, Harbin 150001, China; (2)Harbin Institute of Technology,School of Material Science and Engineering,Harbin 150001, China; (3)Harbin Normal University,School of Physics and Electronic Engineering,Harbin 150001, China; (4)Shanghai Institute of Space Power-sources, Shanghai 200233, China

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn