SnO<sub>2</sub>/p<sup>+</sup>-Si异质结器件的电致发光:利用TiO<sub>2</sub>盖层提高发光强度
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物理学报  2014, Vol. 63 Issue (17): 177302     doi:10.7498/aps.63.177302
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SnO2/p+-Si异质结器件的电致发光:利用TiO2盖层提高发光强度
蒋昊天, 杨扬, 汪粲星, 朱辰, 马向阳, 杨德仁
浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州 310027
Electroluminescence from SnO2/p+-Si heterostructured light-emitting device:enhancing its intensity via capping a TiO2 film
Jiang Hao-Tian, Yang Yang, Wang Can-Xing, Zhu Chen, Ma Xiang-Yang, Yang De-Ren
State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China

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