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立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅱ)——能级和简单的物理模型

茅德强 任尚元 李名复

立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅱ)——能级和简单的物理模型

茅德强, 任尚元, 李名复
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出版历程
  • 收稿日期:  1985-09-23
  • 刊出日期:  1986-03-05

立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅱ)——能级和简单的物理模型

  • 1. (1)中国科学技术大学物理系; (2)中国科学技术大学研究生院
    基金项目: 

    中国科学院科学基金

摘要: 利用文献[1]中给出的基本方程和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了十多种立方半导体的理想双空位在禁带中引入的能级,并用了一个简单的“空位分子”模型来讨论双空位态的物理问题。

English Abstract

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