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硫族化合物半导体CdSe,CdTe和SnSe的电子结构

段文晖 顾秉林 朱嘉麟

硫族化合物半导体CdSe,CdTe和SnSe的电子结构

段文晖, 顾秉林, 朱嘉麟
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出版历程
  • 收稿日期:  1989-01-14
  • 刊出日期:  2005-06-22

硫族化合物半导体CdSe,CdTe和SnSe的电子结构

  • 1. 清华大学物理系,北京,100084

摘要: 本文在局域密度近似下利用从第一原理出发的标量相对论(scalar-relativistic)自洽LMTO-ASA方法,计算了CdSe,CdTe和SnSe的能带结构。计算中在高对称间隙点引入“空球”,晶体势的非球对称分量也得到了适当的考虑。计算结果与其它非自洽计算结果及实验结果进行了比较和讨论。

English Abstract

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