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Vol. 35, No. 6 (1986)

1986年03月20日
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准正电子偶素弛豫机制的研究
杨洪宁, 林步镇, 方俊鑫
1986, 35 (6): 697-703. doi: 10.7498/aps.35.697
摘要 +
理论上研究了碱卤晶体中准正电子偶素(qPs)的弛豫机制。指出造成弛豫的原因,是电子云极化波对c+-e-库仑势的屏蔽。考虑到Toyozawa的相互作用哈密顿量已不适用于qPs的情形,采用唯象方法,对相互作用能给予短程力修正。利用顾世洧处理激子的方法,可以求解得到qPs的有效哈密顿量。变分法的数值计算表明,所采用的模型,能得到与实验结果一致的结论,较好地解释了qPs的弛豫现象。
用正电子湮没研究NiAl中的晶体缺陷
王天民, 下斗米道夫, 堂山昌男
1986, 35 (6): 704-708. doi: 10.7498/aps.35.704
摘要 +
用正电子湮没技术研究了金属间化合物NiAl的结构缺陷、淬火缺陷和电子辐照缺陷,观察了淬火缺陷和辐照缺陷的回复行为。发现在280℃左右和500℃左右有两个明显的回复阶段。实验结果分析表明:低温回复是由于空位对的退火,而高温回复是由于单空位的退火而引起,并且NiAl中空位和晶格间隙处的导电电子密度较接近,但空位处的导电电子的动量比晶格间隙处的低。
晶态硅中氢化单空位的络合物模型
关大任, 邓从豪, 戴国才
1986, 35 (6): 709-715. doi: 10.7498/aps.35.709
摘要 +
本文对氢化单空位模型中SiH键间的相互作用对总能量的影响进行了计算。据用全略微分重迭(CNDO/2)方法计算的结果,单空位中四个氢原子有较明显的相互作用,四氢原子络合成组是含氢单晶硅中一种合理的氢相关组态模型。
中子辐照含氢硅中的一种新EPR谱
林绪伦
1986, 35 (6): 716-724. doi: 10.7498/aps.35.716
摘要 +
氢气氛下生长的区熔硅(磷~1014/cm3)经镉比为10,总通量为(2.9—6.0)×1017n/cm2的中子辐照后,在77K,X波段观测到一种S=1/2的新EPR谱(标号为PK2)。geff值随(011)平面内磁场的角度关系呈三斜对称性。对应于缺陷在硅中一特定取向下的g张量主值及主轴相对于立方晶轴的方向余弦如下:g(±0.0004) n[100] n[010] n[001] g1
键合氢对GDa—Si:H薄膜光致发光性质的影响
马洪磊, 周玉芳, 李敦银
1986, 35 (6): 725-730. doi: 10.7498/aps.35.725
摘要 +
测量了在不同衬底温度下制备的GDa-Si:H膜的光致发光谱和光吸收谱。实验发现键合氢含量的增加导致光致发光峰强度、发光峰能量、发光带半宽度、Stokes位移和热淬灭的增大。由此导出:(1)键合氢不仅能消除无辐射复合中心,而且能产生辐射复合中心;(2)随着键合氢含量的增加电子-声子相互作用增强,带尾宽度缓慢变窄。
用内光发射瞬态电流温度谱测定a-Si:H的隙态密度分布
苏子敏, 彭少麒
1986, 35 (6): 731-740. doi: 10.7498/aps.35.731
摘要 +
本文提出了一种新的研究a-Si:H隙态密度分布的方法——内光发射瞬态电流温度谱。利用这种方法,我们测量了辉光放电制备的a-Si:H材料的隙态密度分布。所得结果在结构上与通常的场效应法结果相似,但在数值上比场效应法结果约小一到两个数量级。
可靠性物理动力学
邢修三
1986, 35 (6): 741-749. doi: 10.7498/aps.35.741
摘要 +
本文试图从结构元件破裂的微观机理出发,用随机过程的理论方法,建立结构可靠性的微观动力学理论。文中给出了故障演化动力学方程和可靠性分析的基本几率函数,导出了结构元件的故障几率和几率密度、可靠性、故障率及平均寿命。
陶瓷材料中圆形夹杂的本征应变导致的微开裂
曹宝宏, 张宏图
1986, 35 (6): 750-761. doi: 10.7498/aps.35.750
摘要 +
由夹杂转变引起的微开裂与陶瓷材料的断裂和增韧机制密切相关。本文采用位错连续分布的方法,导出圆形夹杂发生本征应变时在母体材料中形成的微裂纹的位错密度函数、张开位移及应力强度因子的解析表达式,并据本文得到的结果进行了分析和讨论。
双Maxwell分布电子驱动的等离子体
陈雅深
1986, 35 (6): 762-770. doi: 10.7498/aps.35.762
摘要 +
本文给出当电子为双Maxwell分布且电子温度空间均匀时三流体的一个均匀电场解;由它得出的电子,离子特性与实验和数值计算结果基本符合。
具有多稳势的多变量Fokker-Planck方程非定态问题
胡岗, 王生贵
1986, 35 (6): 771-778. doi: 10.7498/aps.35.771
摘要 +
本文通过双匣扩散的Schl?gl模型的讨论,将Green函数的Ω展开方法推广到多变量的Fokker-PJanck方程非定态问题。
光栅成像与Lau效应
巫颐秀, 林一鸣
1986, 35 (6): 779-787. doi: 10.7498/aps.35.779
摘要 +
本文推导了两个光栅干涉仪的光强分布。分析了光栅周期与狭缝宽度比值对Lau条纹的影响。指出有β>p/(2a)的清晰的Lau条纹存在,并在数值计算与实验上加以证实。
研究简报
双光子共振荧光分布
彭金生
1986, 35 (6): 788-791. doi: 10.7498/aps.35.788
摘要 +
本文研究了一二能级原子系的双光子共振荧光现象。通过对系统Hamiltonian进行一规范么正变换,并求解荧光场算符的运动方程,从而得出双光子共振荧光的频谱及强度分布。
自由电子激光放大器频谱振荡现象的研究
蒋华北
1986, 35 (6): 792-796. doi: 10.7498/aps.35.792
摘要 +
本文从单粒子模型出发,导出了考虑相对论能量因子一级扰动量影响的色散方程。结果表明:当入射电子能量足够大时,自由电子激光放大器出现频谱振荡现象,产生这种现象的原因是由于相对论能量因子的扰动作用。文中对此进行了比较详细的讨论。
用椭圆偏振光法四相模型研究Si SOI光学性质
朱蔚雯, 朱文玉, 王渭源
1986, 35 (6): 797-802. doi: 10.7498/aps.35.797
摘要 +
用椭圆偏振光谱仪在波长为3000到5000?范围内,测量了绝缘衬底上低压CVD生长的多晶Si薄膜(LPCVD Si SOI)及其激光退火和高频感应高温石墨棒热退火后的椭圆偏振光谱参数。以矩阵乘积形式表示了椭偏光谱四相模型,用Monte Carlo统计模拟法求得Si SOI表面多晶Si薄膜的光学参数ε1和ε2,并对退火后出Si SOI的晶格完整性进行了讨论。
GaAs中非晶态与晶态界面晶格象的光衍射分析
林迪, 梁静国
1986, 35 (6): 803-807. doi: 10.7498/aps.35.803
摘要 +
我们利用光学衍射仪对离子注入后GaAs中晶态区与非晶态区界面的高分辨晶格象进行了分析。得到了界面附近结构变化的初步结果。由非晶态区到晶态区存在如下五个区域:非晶区;晶核与低维有序区;多晶区;单晶畸变区和单晶区。
立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅱ)——能级和简单的物理模型
茅德强, 任尚元, 李名复
1986, 35 (6): 808-811. doi: 10.7498/aps.35.808
摘要 +
利用文献[1]中给出的基本方程和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了十多种立方半导体的理想双空位在禁带中引入的能级,并用了一个简单的“空位分子”模型来讨论双空位态的物理问题。
半无限超晶格的原子均方位移
邢定钰, 袁俭
1986, 35 (6): 812-818. doi: 10.7498/aps.35.812
摘要 +
本文在简立方晶体的简单模型下,应用格林函数方法计算了半无限超晶格中的原子均方位移,并讨论了表面和界面对晶格振动的效应。
Schwarzschild黑洞整体正规时空中的测地运动
沈文达, 朱莳通
1986, 35 (6): 819-823. doi: 10.7498/aps.35.819
摘要 +
本文研究了Schwarzschild黑洞整体正规时空中的测地运动,求得了无奇性内部时空中检验粒子测地方程的解析解,并与奇性黑洞情况作了比较。
K-S模型中孤子解及尺寸效应
汪懋骅, 汪克林, 吴自玉
1986, 35 (6): 824-828. doi: 10.7498/aps.35.824
摘要 +
本文给出φ4方程的另一个非拓扑性孤子型解,并且在K-S模型中,讨论其尺寸效应及其有关的问题。
平移群上同调与Kronecker映象
侯伯元, 王珮, 侯伯宇
1986, 35 (6): 829-832. doi: 10.7498/aps.35.829
摘要 +
本文利用任意n维平直空间(平移群流形)到n维球Sn的Kronccker映象,给出平移群的任意高阶同调群上闭链的明显表达式。映象的拖回可作物理解释。