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晶态硅中氢化单空位的络合物模型

戴国才 关大任 邓从豪

晶态硅中氢化单空位的络合物模型

戴国才, 关大任, 邓从豪
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  • 本文对氢化单空位模型中SiH键间的相互作用对总能量的影响进行了计算。据用全略微分重迭(CNDO/2)方法计算的结果,单空位中四个氢原子有较明显的相互作用,四氢原子络合成组是含氢单晶硅中一种合理的氢相关组态模型。
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出版历程
  • 收稿日期:  1985-08-12
  • 刊出日期:  1986-03-05

晶态硅中氢化单空位的络合物模型

  • 1. (1)山东大学理论化学研究室; (2)山东大学物理系

摘要: 本文对氢化单空位模型中SiH键间的相互作用对总能量的影响进行了计算。据用全略微分重迭(CNDO/2)方法计算的结果,单空位中四个氢原子有较明显的相互作用,四氢原子络合成组是含氢单晶硅中一种合理的氢相关组态模型。

English Abstract

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